[发明专利]一种用于锂离子电池的三硒化二锑阳极薄膜材料及其制备方法无效
申请号: | 200710040492.7 | 申请日: | 2007-05-10 |
公开(公告)号: | CN101051683A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 薛明喆;傅正文 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01M4/02 | 分类号: | H01M4/02;H01M4/04;C23C14/28 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属电化学技术领域,具体为一种可以作为锂离子电池阳极材料的三硒化二锑(Sb2Se3)。该材料为薄膜形式,通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极,具有良好的充放电循环可逆性,由三硒化二锑薄膜制成的电极的可逆比容量为605mAh/g左右。电极经100次循环后容量仍有531mAhg。三硒化二锑电极材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单,适用于锂离子电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 锂离子电池 三硒化二锑 阳极 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种锂离子电池阳极材料,其特征在于为一种具有正交结构的三硒化二锑薄膜,薄膜的厚度为0.2-1μm。
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