[发明专利]一种用于锂离子电池的三硒化二锑阳极薄膜材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710040492.7 申请日: 2007-05-10
公开(公告)号: CN101051683A 公开(公告)日: 2007-10-10
发明(设计)人: 薛明喆;傅正文 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01M4/02 分类号: H01M4/02;H01M4/04;C23C14/28
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属电化学技术领域,具体为一种可以作为锂离子电池阳极材料的三硒化二锑(Sb2Se3)。该材料为薄膜形式,通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极,具有良好的充放电循环可逆性,由三硒化二锑薄膜制成的电极的可逆比容量为605mAh/g左右。电极经100次循环后容量仍有531mAhg。三硒化二锑电极材料化学稳定性好、比容量高、制备方法简单,适用于锂离子电池。
搜索关键词: 一种 用于 锂离子电池 三硒化二锑 阳极 薄膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种锂离子电池阳极材料,其特征在于为一种具有正交结构的三硒化二锑薄膜,薄膜的厚度为0.2-1μm。
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