[发明专利]用于在非铜可镀层上直接电镀铜的方法无效
| 申请号： | 200710004205.7 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101016638A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | S·G·马尔霍特拉;H·德利吉安尼;O·范德斯特拉滕;邵晓燕;S·M·罗斯纳格尔;戴聪麟 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D7/12;H01L21/288;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在半导体结构中形成互连的方法，包括如下步骤：在衬底上形成介质层，在介质层上形成第一阻挡层，在第一阻挡层上形成第二阻挡层，其中第二阻挡层选自钌，铂，钯，铑和铱，并且其中控制第二阻挡层的形成，以便在第二阻挡层中氧的体浓度为20原子百分比或更少，并且在第二阻挡层上形成导体层。该方法可以附加地包括处理第二阻挡层以减小在第二阻挡层的表面上的氧含量的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非铜可 镀层 直接 镀铜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体结构中形成互连的方法，所述方法包括如下步骤：在衬底上形成介质层；在所述介质层上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层，其中所述第二阻挡层选自钌，铂，钯，铑和铱，并且其中控制所述第二阻挡层的形成以便在所述第二阻挡层中氧的体浓度为20原子百分比或更少；以及直接在所述第二阻挡层上形成导体层。
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