[发明专利]用于紧密间距存储器阵列线的晶体管布局配置有效
| 申请号： | 200680009938.3 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101151512A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·J·佩蒂;罗伊·E·朔伊尔莱因;坦迈·库马尔;阿比希吉特·班迪奥帕迪亚 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G01J1/12 | 分类号： | G01J1/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多头字线驱动器电路并入有弯曲栅极晶体管以减小原本针对介接到紧密间距阵列线可实现的间距。在某些示范性实施例中，三维存储器阵列包含多个存储器区块以及水平横跨至少一个存储器区块的阵列线。垂直活性区域条设置在第一存储器区块下方，且各自多个弯曲栅极电极与每一各自活性区域条相交以界定个别源极/漏极区。源极/漏极区每隔一个地耦合到用于所述活性区域条的偏压节点，且其余源极/漏极区分别耦合到与所述第一存储器区块相关联的各自阵列线，借此形成用于所述各自阵列线的各自第一驱动器晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 紧密 间距 存储器 阵列 晶体管 布局 配置 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，其包括：存储器阵列，其包括多个存储器区块，所述存储器阵列具有水平横跨至少一个存储器区块的多个阵列线；M多个垂直活性区域条，其设置成至少部分在第一存储器区块下方；各自多个栅电极，其与每一各自活性区域条相交以界定个别源极/漏极区，源极/漏极区每隔一个地耦合到用于所述各自活性区域条的各自偏压节点，且其余源极/漏极区分别耦合到与所述第一存储器区块相关联的各自阵列线，借此形成用于所述各自阵列线的各自第一驱动器晶体管；以及连接区域，其沿着所述第一存储器区块的一侧以用于形成从与所述第一存储器区块相关联的各自阵列线到下部互连层上的各自电极的垂直连接，所述各自电极耦合到用于所述阵列线的相应第一驱动器晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克3D公司，未经桑迪士克3D公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680009938.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
