[发明专利]水平电场施加型薄膜晶体管基板及其制造方法有效
申请号: | 200610170514.7 | 申请日: | 2006-12-21 |
公开(公告)号: | CN100544005C | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 林柄昊;金宝岚;金珍浩 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/28;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管基板,包括设置在基板上的栅线、与栅线交叉以限定像素区域并且在二者之间具有栅绝缘膜的数据线、和与栅线和数据线连接的薄膜晶体管。水平电场施加型薄膜晶体管基板进一步包括与薄膜晶体管连接的像素电极板、设置用来覆盖栅绝缘膜上的数据线、薄膜晶体管和像素电极板的保护膜、和设置在设置有薄膜晶体管阵列的阵列区域处并以网格形状设置在保护膜上的公共电极。 | ||
搜索关键词: | 水平 电场 施加 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种薄膜晶体管基板,包括:设置在基板上的栅线;与栅线交叉以限定像素区域并且在二者之间具有栅绝缘膜的数据线;与栅线和数据线连接的薄膜晶体管;与薄膜晶体管连接的像素电极板;设置用来覆盖栅绝缘膜上的数据线、薄膜晶体管和像素电极板的保护膜;和设置在设有薄膜晶体管阵列的阵列区域并以网格形状设置在保护膜上的公共电极,以及其中该公共电极包括:包括与像素电极板交迭的狭缝图案的狭缝部;与数据线交迭的遮蔽部;和从狭缝部和遮蔽部延伸以平行于栅线设置的连接部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的