[发明专利]一种二硼化镁超导材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610169890.4 申请日: 2006-12-30
公开(公告)号: CN1988058A 公开(公告)日: 2007-06-27
发明(设计)人: 高召顺;马衍伟;张现平;王栋梁 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01B12/00 分类号: H01B12/00;H01L39/12;H01B13/00;H01L39/24;C01B35/04;C01F5/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 关玲;李新华
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种二硼化镁超导材料及其制备方法,其特征在于:二硼化镁超导材料中掺杂有选自脂肪酸、脂肪酸衍生物及其脂肪酸盐中的一种或者多种化合物X,其中Mg和B组分的摩尔比Mg∶B=1∶y,其中y的数值介于1到2.5之间,Mg和B组分质量之和与掺杂物质X的质量之比为:MgBy∶X=1∶(0.01-1)。制备该材料的方法是将Mg粉、X和B粉按成份比例混合均匀,在常压氩气气氛或真空中进行烧结。本发明的二硼化镁超导材料在4.2K以上的温度,具有优异的超导特性:高的临界电流特性、高的上临界场和不可逆场,使得二硼化镁超导体的实用化成为可能。
搜索关键词: 一种 二硼化镁 超导 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种二硼化镁超导材料,其特征在于:二硼化镁超导材料中掺杂有选自脂肪酸、脂肪酸衍生物及其脂肪酸盐中的一种或者多种化合物X,其中Mg和B组分的摩尔比Mg∶B=1∶y,其中y的数值介于1到2.5之间,Mg和B组分质量之和与掺杂物质X的质量之比为:MgBy∶X=1∶(0.01-1)。
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