[发明专利]一种砷化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的制作方法有效
| 申请号： | 200610112408.3 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101127309A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 朱旻;张海英;刘训春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs MMIC功率放大器热沉的制作方法，该方法包括：A、制作与芯片尺寸相合的陶瓷基片及钼材料基片；B、在制作的陶瓷基片的上下表面之间打孔；C、在打孔的陶瓷基片的上下表面及孔的内壁镀金；D、将镀金后的陶瓷基片上表面与钼材料基片的下表面粘合；E、将芯片与钼材料基片的上表面粘合；F、将陶瓷基片的下表面与腔体粘合，完成热沉的制作。利用本发明，由于使用了陶瓷基片与钼材料基片，通过两种材料的不同热膨胀特性，避免了在陶瓷基片上直接粘合芯片易发生断裂的现象，解决了GaAs芯片热传导性能差，热耗散不能及时而导致芯片单管烧毁的问题，进而解决了GaAs芯片粘结断裂现象，提高了芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 单片 微波集成电路 功率放大器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓单片微波集成电路GaAs MMIC功率放大器热沉的制作方法，其特征在于，该方法包括：A、制作与芯片尺寸相合的陶瓷基片及钼材料基片；B、在制作的陶瓷基片的上下表面之间打孔；C、在打孔的陶瓷基片的上下表面及孔的内壁镀金；D、将镀金后的陶瓷基片上表面与钼材料基片的下表面粘合；E、将芯片与钼材料基片的上表面粘合；F、将陶瓷基片的下表面与腔体粘合，完成热沉的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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