[发明专利]利用激光诱导效应改变铁磁体CrO2薄膜磁性的方法无效
| 申请号： | 200610041311.8 | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1929049A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘晓峻;吴雪炜;程营;吴大健 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;G11C11/14 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用激光诱导效应改变铁磁体CrO2薄膜磁性的方法，该方法为：在室温下，利用光子能量为2.0eV－3.5eV的脉冲激光辐照铁磁体CrO2薄膜；在进行上述步骤的同时，对铁磁体CrO2薄膜施加外加电场，以调控在激光诱导下CrO2薄膜磁性的变化量以及相应的阻抗的变化。本发明不仅有助于阐明光诱导磁相变的物理机制，而且对开发新型的光存储磁性器件以及光控制器件具有重要意义；本方法可采用CrO2薄膜在能量范围为1.2－1.75eV内的光吸收或透过率的变化来表征CrO2薄膜的磁性变化，为测量并研究CrO2薄膜的磁性改变提供了简单方便的途径；本方法为设计新型光电磁性器件提供了一种新的途径，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 激光 诱导 效应 改变 磁体 cro sub 薄膜 磁性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用激光诱导效应改变铁磁体CrO2薄膜磁性的方法，其特征在于，该方法步骤为：(1)在室温下，利用光子能量为2.0eV-3.5eV的脉冲激光辐照铁磁体CrO2薄膜。
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