[发明专利]碳纳米管场致发射显示器件的栅极结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200610039205.6 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1832092A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 狄云松;雷威;张晓兵;崔云康;储开荣 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J1/46;H01J9/02;C01B31/00;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 碳纳米管场致发射显示器件的栅极结构及其制作方法，涉及场发射显示器栅极结构的设计、材料的选择和制作工艺流程的设计、发射材料表面处理技术，该栅极结构以玻璃衬底(1)为阴极玻璃基板，在玻璃衬底上覆盖阴极电极(2)，在阴极电极上设有致密材料薄层(4)，在阴极电极和致密材料薄层(4)上覆盖绝缘介质层(5)，在绝缘介质层(5)的中间设有绝缘介质孔(8)，碳纳米管浆料层(3)表面暴露在绝缘介质孔(8)中，下部熔入致密材料薄层(4)中，在绝缘介质层(5)的上部上覆盖栅极电极(6)，栅极电极(6)中设有栅极小孔(7)，栅极小孔与其下部的绝缘介质孔(8)对齐，绝缘介质孔(8)的横截面形状为上宽下窄的碗状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 管场致 发射 显示 器件 栅极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管场致发射显示器件的栅极结构，其特征在于该栅极结构以玻璃衬底(1)为阴极玻璃基板，在玻璃衬底(1)上覆盖阴极电极(2)，在阴极电极(2)上设有致密材料薄层(4)，在阴极电极(2)和致密材料薄层(4)上覆盖绝缘介质层(5)，在绝缘介质层(5)的中间设有绝缘介质孔(8)，碳纳米管浆料层(3)表面暴露在绝缘介质孔(8)中，下部熔入致密材料薄层(4)中，在绝缘介质层(5)的上部上覆盖栅极电极(6)，栅极电极(6)中设有栅极小孔(7)，栅极小孔(7)与其下部的绝缘介质孔(8)对齐，绝缘介质孔(8)的横截面形状为上宽下窄的碗状结构。
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