[发明专利]顶层防反射涂层聚合物及其制法以及包含它的顶层防反射涂料组合物无效
申请号: | 200510067233.4 | 申请日: | 2005-04-19 |
公开(公告)号: | CN1690099A | 公开(公告)日: | 2005-11-02 |
发明(设计)人: | 郑傤昌 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | C08F220/18 | 分类号: | C08F220/18;C08F220/56;C09D133/08;G03F7/11 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张平元;赵仁临 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明揭示一种用于光刻法(一种制备半导体器件的工艺)中的顶层防反射涂层聚合物,制备防反射涂层聚合物的方法,及包含防反射涂层聚合物的防反射涂料组合物。具体地,所述顶层防反射涂层聚合物用于制造低于50nm的半导体器件的沉浸光刻中。顶层防反射涂层聚合物由上式1所示,式中R1、R2和R3独立地为氢或甲基;a、b和c表示每个单体的摩尔份数,并且为0.05~0.9。由于采用防反射涂层聚合物形成的顶层防反射涂层不溶于水,所以其可以应用于以水为光源介质的沉浸光刻法。另外,由于顶层防反射涂层可以降低来自底层的反射系数,改善了CD的均匀性,从而能够形成超细图案。 | ||
搜索关键词: | 顶层 反射 涂层 聚合物 及其 制法 以及 包含 涂料 组合 | ||
【主权项】:
1.一种具有1000~1000000的重均分子量的顶层防反射涂层聚合物,由下式1所示:[式1]
式中R1、R2和R3独立地为氢或甲基;a、b和c表示每个单体的摩尔份数,并且为0.05~0.9。
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