[发明专利]液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法无效
| 申请号： | 200510014891.7 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1749448A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李养贤;刘彩池;郝秋艳;黄千驷 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C30B13/10 | 分类号： | C30B13/10 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 赵尊生 |
| 地址： | 300130天津市红*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法。它是使用含锗元素的盐酸溶液涂抹在硅单晶的表面，烘干后装到区熔炉上，按通常的区熔工艺进行区熔熔炼或生长单晶。本发明是理想的掺锗方法，不但使锗掺得进去，而且锗在硅中的浓度均匀可控，掺锗工艺无沾污，保证了硅单晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 涂抹 法区熔硅单晶 方法 | ||
【主权项】：
1、一种液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法，其特征在于它包括下述步骤：使用含锗元素的溶液液体涂抹在硅单晶的表面，烘干后装到区熔炉上，进行区熔熔炼或生长单晶。
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