[发明专利]酸槽与反应槽稳定度的侦测方法有效

专利信息
申请号: 200410102685.7 申请日: 2004-12-27
公开(公告)号: CN1796994A 公开(公告)日: 2006-07-05
发明(设计)人: 张原勋;黄良田;吕志原;许哲恺;林依亮 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00;G01N21/55;G01N21/00;G01B11/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 王学强
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种酸槽与反应槽稳定度的侦测方法。其中,酸槽稳定度的侦测方法是先提供一基底,再在此基底面形成一多晶质层。然后,将形成有多晶质层的基底放置到酸槽内,进行反应制程。接着取出此基底,以及利用一表面破坏检测机台对此基底的多晶质层表面进行量测,以判定酸槽的稳定度。此方法是利用多晶质层晶粒边界反应较快的特性,通过表面破坏检测机台,可以直接且快速得知多晶质层的表面结构是否因酸槽的稳定度不佳而受到损害。
搜索关键词: 反应 稳定 侦测 方法
【主权项】:
1.一种酸槽稳定度的侦测方法,其特征在于:适于侦测酸槽在反应制程期间的稳定度,包括:提供一基底;在该基底表面形成多晶质层;将形成有多晶质层的基底放置到酸槽内进行反应制程;取出该基底;以及利用一表面破坏检测机台对该基底的多晶质层表面进行量测,以判定该酸槽的稳定度。
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