[发明专利]应用于推挽式电路的消磁电路无效

专利信息
申请号: 200410085840.9 申请日: 2004-10-20
公开(公告)号: CN1601878A 公开(公告)日: 2005-03-30
发明(设计)人: 张峻菁 申请(专利权)人: 系统电子工业股份有限公司
主分类号: H02M7/519 分类号: H02M7/519
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人: 曾旻辉;胡杰
地址: 台湾省台北县中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种应用于推挽式电路的消磁电路,其主要是在正半周电路动作而负半周电路呈关闭状态时,将正半周电路的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效管)端脉宽调变讯号(Vga)反向后(PWB)送入负半周消磁电路中,使负半周消磁电路形成导通短路现象,作为正半周消磁的动作,亦在负半周电路动作时,将负半周电路的MOSFET端脉宽调变讯号(Vgb)反向后(PWA)送至正半周消磁电路中,持续交换做短路消磁动作,以防止变压器残磁产生进而保护变压器。
搜索关键词: 应用于 推挽式 电路 消磁
【主权项】:
1.一种应用于推挽式电路的消磁电路,包括:一个正半周驱动电路,其包括用于调变脉冲宽度的第一晶体管、第二晶体管,以及供导通之用的二极管;一个负半周驱动电路,其包括用于调变脉冲宽度的第一晶体管、第二晶体管,以及供导通之用的二极管;一个变压器,与正半周驱动电路及负半周驱动电路相连接,输出交流电。
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