[发明专利]薄膜电晶体阵列及画素结构有效
| 申请号： | 200410074511.4 | 申请日： | 2004-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1588217A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 来汉中 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种薄膜电晶体阵列及画素结构，其中具有储存电容器的画素结构，包括：一基板、一第一电容电极、一电容介电层、一第二电容电极、一保护层及一画素电极。其中，第一电容电极是配置在一基板上。电容介电层是配置在第一电容电极上。第二电容电极是配置在该电容介电层上，此第二电容电极具有一凸出部分，且凸出部分是凸出在第一电容电极的边缘。保护层是覆盖在第二电容电极上，其中保护层有一开口，暴露出第二电容电极。画素电极是覆盖在保护层上，其中画素电极是通过保护层的开口与第二电容电极电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电晶体 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1、一种具有储存电容器的画素结构，其特征在于其包括：一第一电容电极，配置在一基板上；一电容介电层，配置在该第一电容电极上；一第二电容电极，配置在该电容介电层上，其中该第二电容电极具有一凸出部分，且该凸出部分是凸出在该第一电容电极的边缘；一保护层，覆盖在该第二电容电极上，其中该保护层有一开口，暴露出该第二电容电极；以及一画素电极，覆盖在该保护层上，其中该画素电极是通过该保护层的该开口与该第二电容电极电性连接。
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