[发明专利]一种双壁纳米碳管的低成本制备方法无效
| 申请号： | 200410050347.3 | 申请日： | 2004-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1743265A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 丛洪涛;陈志刚;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种双壁纳米碳管的低成本制备方法，其特征在于：采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式制备含双壁纳米碳管的混合物；阳极为由炭黑、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，催化剂选自铁，钴，镍过渡族元素，加入量为4－10at％，固体硫化物作生长促进剂，加入量为1－2at％；反应气氛为100－500乇的氢气；起弧放电可获得纯度大于60－70％的双壁纳米碳管。本发明通过低成本的提纯就可以获得高纯度的双壁纳米碳管，从而大大降低了双壁纳米碳管的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 低成本 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双壁纳米碳管的低成本制备方法，其特征在于：采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式制备含双壁纳米碳管的混合物；阳极为由炭黑、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，催化剂选自铁，钴，镍过渡族元素，加入量为4-10at％，固体硫化物作生长促进剂，加入量为1-2at％；反应气氛为100-500乇的氢气；起弧放电可获得纯度大于60-70％的双壁纳米碳管。
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