[发明专利]带有自定向发射级的磁沟道晶体管的制备方法和装置无效
| 申请号： | 200410038601.8 | 申请日： | 2004-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1551114A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 哈戴亚尔·S.·吉尔 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了带有自定向发射极之磁沟道晶体管的制备方法和装置。形成了一种带有自定向发射极层的磁沟道晶体管(MTT)。自定向发射极层通过去除一个邻近的反铁磁定向电阻厚层，减小了电阻。同时，本发明也通过从基极中去除一个被定向层，减小了磁沟道晶体管基极中的串联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 定向 发射 沟道 晶体管 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种形成磁沟道晶体管的方法，包括：形成一个发射极，包括一个自定向的第一铁磁层，该第一铁磁层具有第一磁性取向；形成一个基极，包括一个第二铁磁层，与第一铁磁层由其间的一个势垒层分开，该第二铁磁层具有第二磁性取向；以及形成一个集电极，包括一个在第二铁磁层上的第三铁磁层，其中第一和第二磁性取向的方向确定了流过集电极的电流。
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