[发明专利]通过由施主板转移而在受主板上制备各向异性晶体薄膜的方法、施主板及其制备方法有效
申请号: | 03805510.4 | 申请日: | 2003-02-06 |
公开(公告)号: | CN1688396A | 公开(公告)日: | 2005-10-26 |
发明(设计)人: | P·I·拉扎列夫;N·A·奥奇尼科娃 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | B05D5/06 | 分类号: | B05D5/06;B05D5/12;B05D3/06;B05D3/12;G02B1/08;G02F1/13 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟守期 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明属于多用途装置的制备领域,采用各向异性晶体薄膜:偏光器、延时器等,以及制得电导率、磁性能、导热性及其它物理性能各向异性的涂层的技术。发明包括由施主板转移而在受主板上形成各向异性晶体薄膜的方法。所公开发明的实施保留了转移后晶体薄膜的高度各向异性和光学参数。此外,可在形状任意(包括弯曲的)且硬度不同的表面上形成各向异性涂层;并且,还可转移不同尺寸和形状的薄膜以及包括各向异性薄膜的多层涂层并形成彩色图像。 | ||
搜索关键词: | 通过 施主 转移 主板 制备 各向异性 晶体 薄膜 方法 及其 | ||
【主权项】:
1.一种由施主板转移而在受主板上形成各向异性晶体薄膜的方法,包括:使受主板与包括至少一个各向异性晶体薄膜的施主板接触;活化包括待转移的各向异性晶体薄膜的整个施主板的至少一部分,和/或受主板的至少一部分,其中活化程度应足够高,以使薄膜随后能在施加压力下转移,但不是高到足于破坏转移的晶体薄膜的晶体结构;以及在活化的同时,或在活化之后,至少向整个施主板中包括待转移到受主板上的晶体薄膜的部分施加压力,其中压力水平应足够高到使薄膜的至少一部分从施主板转移到受主板,但不是高到足于破坏转移的晶体薄膜的晶体结构。
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