[发明专利]高纯纳米硫的制备方法在审
| 申请号： | 03128015.3 | 申请日： | 2003-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1453205A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 皮振邦;田熙科;杨超 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉） |
| 主分类号： | C01B17/02 | 分类号： | C01B17/02 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种单质硫的制备方法。高纯纳米硫的制备方法，采用化学气相沉积法，其特征是它包括如下步骤：设置三个反应器，1)固态硫蒸发：将单质硫置入第一反应器中，反应器的温度为476－500℃，在惰性保护气体作用下，将固态硫蒸发；2)利用高温将单质硫原子化和高密分散：硫蒸气从第一反应器中进入第二反应器中，反应器温度为700－730℃，然后进入设有多孔阻隔层的第三反应器，第三反应器温度为850－870℃，利用高温将单质硫原子化和高密分散；3)利用常规工艺进行液相收集或在收集器中加入分散液进行液相收集；4)脱水分离并烘干得产品。制备的硫为颗粒状或丝状，其粒径为1－100纳米、纯度为99.999％。本发明反应快，产率高。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、高纯纳米硫的制备方法，采用化学气相沉积法，其特征是它包括如下步骤：设置三个反应器，1)、固态硫蒸发：将单质硫置入第一反应器中，反应器的温度为476-500℃，在惰性保护气体作用下，将固态硫蒸发；2)、利用高温将单质硫原子化和高密分散：硫蒸气从第一反应器中进入第二反应器中，反应器温度为700-730℃，然后进入设有多孔阻隔层的第三反应器，第三反应器温度为850-870℃，利用高温将单质硫原子化和高密分散；3)、利用常规工艺进行液相收集或在收集器中加入分散液进行液相收集；4)、脱水分离并烘干得产品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国地质大学（武汉），未经中国地质大学（武汉）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03128015.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
