[实用新型]一种镍钛记忆合金与压电陶瓷薄膜多层复合阻尼材料无效
申请号: | 02256581.7 | 申请日: | 2002-09-26 |
公开(公告)号: | CN2568412Y | 公开(公告)日: | 2003-08-27 |
发明(设计)人: | 申请(专利权)人: | ||
主分类号: | B32B15/04 | 分类号: | B32B15/04;B32B18/00;G10K11/168 |
代理公司: | 天津德赛律师事务所 | 代理人: | 王里歌 |
地址: | 300191 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种镍钛记忆合金与压电陶瓷薄膜多层复合阻尼材料,其特征在于在镍钛形状记忆合金薄片基体与压电陶瓷薄膜之间设置二氧化钛与贫钛的镍钛合金区的二过渡层,该镍钛形状记忆合金薄片基体、二氧化钛过渡层、贫钛过渡层与压电陶瓷薄膜呈复合层结构。本发明的优越性在于:该材料借助过渡层解决了陶瓷与金属间变形不匹配的问题,使镍钛形状记忆合金与压电陶瓷之间实现良好的结合,该材料不仅克服了镍钛记忆合金与压电陶瓷单质阻尼材料所固有的缺陷,而且具有自适应环境变化、自增强阻尼的特性;镍钛形状记忆合金与压电陶瓷的有机结合不仅可以发挥各自的性能优势,而且还可优势互补。 | ||
搜索关键词: | 一种 记忆 合金 压电 陶瓷 薄膜 多层 复合 阻尼 材料 | ||
【主权项】:
1、一种镍钛记忆合金与压电陶瓷薄膜多层复合阻尼材料,其特征在于在镍钛形状记忆合金薄片基体与压电陶瓷薄膜之间设置二氧化钛与贫钛的镍钛合金区的二过渡层,该镍钛形状记忆合金薄片基体、二氧化钛过渡层、贫钛过渡层与压电陶瓷薄膜呈复合层结构。
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