[发明专利]侦测卡及其制备方法有效

专利信息
申请号: 02142468.3 申请日: 2002-09-20
公开(公告)号: CN1484033A 公开(公告)日: 2004-03-24
发明(设计)人: 刘俊良;徐梅淑 申请(专利权)人: 思达科技股份有限公司
主分类号: G01R1/02 分类号: G01R1/02;G01R1/073;H01L21/66;H05K3/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王敬波
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明揭示一种半导体测试用的侦测卡,其包含至少一基材及至少一导电层,该导电层具有一电路图案,且该电路图案的线路与线路之间具有一间隙,该间隙深入基材表面,利用该间隙所达成的空气隔绝效果,可提升侦测卡的电阻值并降低其寄生电容。再者,该电路图案及间隙利用雕刻方式形成,可避免现有技术中因蚀刻不良而造成电路设计的误差,而产生漏电流现象。
搜索关键词: 侦测 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种半导体测试用的侦测卡,包含:至少一基材;及至少一导电层,设置于该基材表面,该导电层具有一电路图案,该电路图案的相邻线路之间以一间隙加以隔离,且该间隙深入该基材表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思达科技股份有限公司,未经思达科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02142468.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top