[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法和使用它的显示板无效
| 申请号： | 01130501.0 | 申请日： | 2001-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1353329A | 公开（公告）日： | 2002-06-12 |
| 发明（设计）人： | 小川一文 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在把被形成在衬底上的半导体材料膜,通过给其规定的区域赋予导电性,加工成TFT的沟道部分、源极部分以及漏极部分的同时,加工成包含与漏极部分连接的象素电极的导电元件。把由不包含杂质的本征半导体的区域作为薄膜晶体管的有源层(沟道区域),把添加了杂质的区域作为导电元件。在形成透明电极的情况下,使用氧化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 使用 显示 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列，具备，绝缘性的衬底；在上述衬底上被配置成矩阵形的，具备由沟道部分，源极部分以及漏极部分组成的半导体层的薄膜晶体管；向同一列上的上述薄膜晶体管提供源极信号的源极信号线；向同一行上的上述薄膜晶体管提供栅极信号的栅极信号线；与上述薄膜晶体管的漏极连接的象素电极，上述象素电极包含和构成上述薄膜晶体管的半导体层的材料相同的半导体材料。
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