[发明专利]自举式－互补传输门电荷恢复低功耗电路结构

摘要

一种自举式－互补传输门电荷恢复低功耗电路结构，包括第一、第二PMOS管源极和衬底接脉冲电源，门极和漏极接A1结点和B1结点；第一、第二NMOS管漏极接B1结点，源极接地门极接输入信号；第三NMOS管源极接B1结点，门极接脉冲电源，漏极接B2结点；第三PMOS管源极接B1结点，门极接反相脉冲电源，漏极接B2结点，衬底接直流电压；第四NMOS管源极接A1结点，门极接脉冲电源，漏极接A2结点；第四PMOS管源极接A1结点，门极接反相脉冲电源，漏极接A2结点，衬底接直流电压；第五NMOS管源极接脉冲电源，门极接B2结点，漏极接输出结点C；第六NMOS管源极接脉冲电源，门极接A2结点，漏极接输出结点D；所述的NMOS管的衬底均接地。

主权项

1、一种自举式-互补传输门电荷恢复低功耗电路结构，其特征在于，其中包括：第一PMOS管，其源极和衬底接在第一脉冲电源上，门极和漏极分别接在A1结点和B1结点上；第二PMOS管，其源极和衬底接在第一脉冲电源上，门极和漏极分别接在B1结点和A1结点上；第一NMOS管，其漏极接在B1结点上，源极接地，门极接输入信号；第二NMOS管，其漏极接在B1结点上，源极接地，门极接另一输入信号；第三NMOS管，其源极接在B1结点上，门极接在第一脉冲电源上，漏极接在B2结点上；第三PMOS管，其源极接在B1结点上，门极接在反相的第一脉冲电源上，漏极接在B2结点上，衬底接在直流电压上，其值的大小至少为脉冲电源的幅值的1.5倍；第四NMOS管，其源极接在A1结点上，门极接在第一脉冲电源上，漏极接在A2结点上；第四PMOS管，其源极接在A1结点上，门极接在反相的第一脉冲电源上，漏极接在A2结点上，衬底接在直流电压上，其值的大小至少为脉冲电源的幅值的1.5倍；第五NMOS管，其源极接在第二脉冲电源上，门极接在B2结点上，漏极接在输出结点C上；第六NMOS管，其源极接在第二脉冲电源上，门极接在A2结点上，漏极接在输出结点D上；以上所述的NMOS管的衬底均接地。