[发明专利]硅、金属、介质膜桥射频微机电系统开关无效
| 申请号： | 01102116.0 | 申请日： | 2001-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1127106C | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 金玉丰;张锦文;郝一龙;张大成;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01H13/702 | 分类号： | H01H13/702 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥RFMEMS开关，其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜(同时也是上电极)组成，介质膜制备在活动桥上，而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案，消除了介质层制备在传输线上引起的信号传输损耗，减小RFMEMS开关的插入损耗；以硅为桥膜，提高RFMEMS开关的开关性能、使用寿命和可靠性，也便于实现RFMEMS开关的制备工艺与IC工艺的兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 介质 射频 微机 系统 开关 | ||
【主权项】：
1.一种硅、金属、介质膜桥射频微机电系统开关，由活动桥、信号电极、地电极和低损耗衬底组成，其特征是所述活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜组成，介质膜制备在活动桥上。
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