[发明专利]对半导体基片进行电镀和抛光的方法及装置无效
| 申请号： | 00807964.1 | 申请日： | 2000-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1351531A | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | 霍梅昂·塔利;希普里安·埃梅卡·乌佐 | 申请（专利权）人： | 纳托尔公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B41/047;B24B41/00;B24D13/06;B24D13/14;H01L21/288;H01L21/321 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘志平 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在半导体基片(2)上电镀/沉积导电材料并抛光该基片的方法和装置。在一个装置中设置有多个腔(100,200),其中一个腔(100)用于电镀/沉积导电材料,另一个腔(200)用于抛光该半导体基片。电镀/沉积过程可以通过刷镀或电化学机械沉积进行,抛光过程可以通过电解抛光或化学机械抛光进行。本发明还提供了一种用于间断地给半导体基片(2)施加导电材料并当不再给基片(2)施加导电材料时间断地抛光该基片的方法和装置。另外,本发明还提供了一种使用一新型阳极组件电镀/沉积和/或抛光导电材料并改善电解质转移性能的方法和装置。 | ||
| 搜索关键词： | 对半 导体 进行 电镀 抛光 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于对半导体工件的表面进行电镀和抛光的装置，包括：具有用于对工件表面进行电镀的电镀设备的第一腔；具有用于对工件表面进行抛光的抛光设备的第二腔；以及分隔第一腔和第二腔的隔离物。
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