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[发明专利]活性膜的沉积-CN200880119476.X有效
发明人： C·埃勒特;W·韦兰德;D·佐齐;A·A·H·塔哈 -专利权人：欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫)
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01J37/00 文献下载
摘要：用于处理衬底(40)的等离子体反应器(1)，其包括被布置在所述反应器(1)内的至少两个电极(20，30)，在所述两个电极(20，30)之间定义内部工艺空间(13)，同时所述两个电极(20，30)彼此相对地并且相对于所述电极(20，30)的第一表面(20a)平行地被设置。另外，其包括用于将气体传送入以及传送出所述等离子体反应器(1)的气体入口(11)以及气体出口(12)、被连接到所述电极(20，30)中的至少一个的射频发生器(21)。所述电极(20，30)中的至少一个具有矫正层，所述矫正层沿面向所述内部工艺空间(13)的表面(20a)具有非平面的形状，所述非平面的形状在沿所述电极(20)的半径的第一截面中具有包括三个连续的并且邻近的分段的轮廓，即第一、第二和第三分段，其中所述第三分段邻近于所述电极(20)的边缘并且其中所述第一分段中的中间梯度小于所述第二分段中的中间梯度并且所述第二分段中的中间梯度大于所述第三分段中的中间梯度。以上述方式成形的电极(20)沿所述衬底(40)的表面提供均匀的等离子体强度并且因此提供同质的并且以均匀的厚度为特征的处理。本发明还允许真空处理设备(1)的紧凑的构造。
活性沉积

[发明专利]在介电基片的基础上制造片状工件的方法和用于该制造方法的真空处理设备-CN200580013677.8有效
发明人： A·布彻尔;W·韦兰德;C·埃勒特;L·桑森南斯 -专利权人： OC欧瑞康巴尔斯公司
申请日： 2005-03-14 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在第一真空涂覆站(102)中用一个层面涂覆介电基片(100)，层面的材料具有电阻率(ρ)，对于该电阻率有10^－5Ωcm≤ρ≤10^－1Ωcm，并且因此得出的面电阻处在以下的范围内：0＜R_S≤10⁴Ω□。然后所涂覆的基片(104)在一个站(105)中经受反应性高频等离子处理步骤。
介电基片基础上制造片状工件方法用于真空处理设备

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