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[发明专利]为LTE高效实施包括HARQ结合的解速率匹配的方法-CN200980119983.8有效
发明人： W·范;W·李;J·张 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种没有NULL位跳过的解速率匹配方法。数据在没有NULL的情况下接收并输入到LLR结合块中。缓冲没有NULL的历史数据。对数似然率(LLR)结合在解速率匹配之前调用。LLR结合的输出被解交织。读取指针被偏移以伪造NULL。最终，向turbo解码器发送没有NULL的解交织输出。
lte 高效实施包括 harq 结合速率匹配方法

[发明专利]使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及使用非接触印刷来形成该掺杂区域的含掺杂剂的墨水-CN200980102659.5有效
发明人： R·Y·梁;D·周;W·范 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：提供一种使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及一种用于使用非接触印刷工艺形成该掺杂区域的含掺杂剂墨水。在一个示例性实施方案中，提供一种在半导体衬底中形成掺杂区域的方法。该方法包括提供包含既定导电类型掺杂剂的墨水，使用非接触印刷工艺将墨水施加至半导体衬底，以及使半导体衬底经受热处理，以使得既定导电类型掺杂剂扩散进入半导体衬底。
使用接触印刷工艺半导体衬底形成掺杂区域方法以及墨水

[发明专利]增强均热性的加热装置及其制造方法-CN200610064415.0无效
发明人： J·玛丽娜;A·萨恩;T·埃巴塔;M·谢普肯斯;刘翔;W·范 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了一种用于调节/控制衬底表面温度的加热装置。至少一个热解石墨(TPG)层嵌入加热器，以扩散加热装置中不同部件的温度差并且提供衬底表面温度的时间空间上的控制，从而实现衬底上最高和最低温度点之间的差值低于10℃的相对均匀的衬底温度。
增强均热加热装置及其制造方法

[发明专利]抗腐蚀的晶片处理设备及其制造方法-CN200610064284.6无效
发明人： B·J·奥莱奇诺维茨;D·M·鲁辛科;W·范;D·萨里加尼斯;M·谢普肯斯;D·A·龙沃思;V·L·罗;X·刘;J·克卢格 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶片处理设备特征在于具有抗腐蚀连接，用于其电连接、穿通沟道、凹进区、升高区、MESA、通孔例如起模顶杆孔、螺栓孔、盲孔等，特定的结构采用具有良好化学稳定性质和最佳CTE的连接体和填料，该最佳的CTE即具有紧密匹配基底基板层的CTE、电极以及涂层的CTE的热膨胀系数(CTE)。在一个实施例中，采用了包括玻璃-陶瓷材料的填料组成。
腐蚀晶片处理设备及其制造方法

[发明专利]耐蚀刻晶片处理装置和其制造方法-CN200610172450.4无效
发明人： W·范;A·桑;J·伦纳茨;T·W·金 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：通过以下制造一种晶片处理装置：沉积薄膜电极到基底衬底的表面上，然后用保护涂层薄膜层覆盖该结构，该保护涂层薄膜层包括选自B、Al、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属及其组合中的元素的氮化物、碳化物、碳氮化物或氧氮化物的至少一种。该薄膜电极具有紧密匹配下面基底衬底层的热膨胀系数(CTE)和保护涂层的CTE的CTE。
蚀刻晶片处理装置制造方法

[发明专利]受损电介质材料和电介质膜的修复和恢复-CN200480002723.X无效
发明人： W·范;V·卢;M·托马斯;B·丹尼尔斯;T·阮;D·L·周;A·纳曼;L·金;A·巴纳普 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2004-01-26 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L21/47 文献下载
摘要：本文描述了修复材料中的孔隙的方法，该方法包括：a)提供具有大量活性硅烷醇基团的材料；b)提供至少一种活性表面改性剂；和c)使用所述至少一种活性表面改性剂将至少一部分所述的大量活性硅烷醇基团化学封端。本文还描述了恢复材料中的碳的方法，该方法包括：a)提供具有大量活性硅烷醇基团的碳缺乏材料；b)提供至少一种活性表面改性剂；和c)使用所述至少一种活性表面改性剂将至少一部分所述的大量活性硅烷醇基团化学封端。另外，本文还描述了减少薄膜和/或碳缺乏薄膜缩合的方法，该方法包括：a)提供具有大量活性硅烷醇基团的薄膜；b)将所述薄膜置于等离子室中；c)向等离子室中引入大量含有活性有机基团的硅烷；以及d)使所述硅烷与至少一部分所述活性硅烷醇基团发生反应。本文还描述了一类电介质材料和低介电常数的电介质材料，该材料包括：a)具有大量硅原子的无机材料；和b)大量含有有机基团的硅烷化合物，其中所述硅烷化合物通过至少一部分硅原子与所述无机材料偶联。
受损电介质材料修复恢复

[发明专利]用于低介电常数材料的夹层增粘剂-CN02829637.0无效
发明人： V·卢;R·Y·梁;W·范;A·娜曼;D·－L·周 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-09-20 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及多层介电结构的生产并涉及包含这些结构的半导体设备和集成电路。通过将多孔介电层经中间的增粘介电层粘合到基本上无孔的贴面层上来制备本发明的结构。所制备的多层介电结构具有孔隙率为约10％或更高的多孔介电层；在所述多孔介电层上的增粘介电层，其孔隙率为约10％或更低；和在所述增粘介电层上的基本上无孔的贴面层。
用于介电常数材料夹层增粘剂

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