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[发明专利]太阳能电池单元的有效部分及其制造方法-CN201780065750.9有效
发明人： R·勒肯霍夫;I·兹林扎克;W·本施 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池单元的有效部分(10)，其具有电绝缘的、包含陶瓷的总载体(20)，所述总载体包括多个材料配合地连接的载体部分(30)，其中，所述多个载体部分中的每个载体部分具有由至少四个棱边(30.1，30.2，30.3，30.4)包围的、平坦的上侧(32)，所述上侧具有至少两个印刷导线，至少两个彼此隔开间距的接触面沿着第一棱边布置，并且至少一个构造为太阳能电池的半导体本体(50)布置在至少两个接触面和与第一棱边对置的第二棱边(30.2)之间。在所述多个载体部分(30)中的每个载体部分的至少一个半导体本体上布置次级光学元件(60)，其中，次级光学元件的平坦的下侧(62)借助包含硅酮化合物的聚合物粘接层(80)与半导体本体的接收面力配合地连接，以便将光引导到半导体本体的接收面上。所述多个载体部分中的每个载体部分的第一棱边邻接于一个另外的载体部分的第一棱边，并且总载体在所述载体部分之间具有额定断开线(40)，以便分离所述载体部分。
太阳能电池单元有效部分及其制造方法

[发明专利]太阳能电池单元-CN201710181701.3有效
发明人： W·本施 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池单元，其具有：构造为太阳能电池的半导体本体，其中，半导体本体具有前侧和背侧，太阳能电池单元具有带上侧和下侧的载体，其中，在上侧上构造有第一接触面和第二接触面，并且第一接触面与第二接触面隔开间距，并且所述接触面是金属导电的，并且半导体本体的背侧与载体的上侧力锁合地连接，并且太阳能电池单元具有次级光学元件，以便将光引导到半导体本体的前侧上，其中，次级光学元件具有下侧，并且下侧与半导体本体的前侧力锁合地连接，并且载体具有构造在所述上侧上的第三接触面，并且第三接触面不仅与第一接触面隔开间距而且与第二接触面隔开间距，并且第二接触面具有与其他两个接触面不同的极性。
太阳能电池单元

[发明专利]薄膜上的半成品组件和用于制造薄膜上的半成品组件的制造方法-CN201780065749.6在审
发明人： R·勒肯霍夫;I·兹林扎克;W·本施 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2017-07-15 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：由薄膜(20)和多个太阳能电池单元(30)构成的半成品组件(10)及其制造方法，其中，薄膜(20)具有粘性的、平坦的表面(22)，每个太阳能电池单元(30)具有电绝缘的、包含陶瓷的载体(32)，所述电绝缘载体具有由至少四个棱边(32.1，32.2，32.3，32.4)包围的上侧和下侧，每个太阳能电池单元(30)的下侧与薄膜(20)的表面(22)力配合地连接，在多个载体(32)的上侧将至少两个彼此隔开间距的接触面(40，42，44)沿着第一棱边(32.1)布置并且将至少一个构造为太阳能电池的半导体本体(50)布置在至少两个接触面(40，42，44)和与第一棱边(32.1)对置的第二棱边(32.2)之间，在每个载体(32)的至少一个半导体本体(50)上布置有次级光学元件(60)，并且次级光学元件(60)的平坦的下侧(62)借助聚合物粘接层(70)与半导体本体(50)的接收面(52)力配合地连接，以便将光引导到半导体本体(50)的接收面(52)上，太阳能电池单元(30)分别彼此隔开间距地布置在所述薄膜(20)的表面(22)上，其中，每个太阳能电池单元(30)的第一棱边(32.1)分别与一个另外的太阳能电池单元(30)的第一棱边(32.1)对置。
太阳能电池单元棱边薄膜半导体本体半成品组件光学元件地连接接收面力配合对置隔开平坦制造电绝缘载体太阳能电池聚合物电绝缘光引导粘接层陶瓷包围

[发明专利]具有作用区的半导体结构-CN200580003601.7无效
发明人： W·本施 -专利权人： RWE太空太阳能有限责任公司
申请日： 2005-01-26 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有作用区的半导体结构，如发光二极管或者光电二极管(10、16、24、26、36、46、54、68、74、80)，它包括一个具有至少两个作用区(AZ1－AZn)的基底(SUB)，其中每个作用区发出或吸收不同波长的光线。为了实现多波长二极管，第一(下部)作用区(AZ1)在基底(SUB)的表面上生长，其中一个或者多个其它作用区(AZ1－AZn)上下依次取向附生地生长，并且其中作用区(AZ1－AZn)通过作为低欧姆电阻的隧道二极管(TD1－TDn)从下部作用区(AZ1)直到上部作用区(AZn)进行串联。
具有作用半导体结构

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