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[发明专利]衬底支撑结构和制造衬底支撑结构的方法-CN202210802566.0在审
发明人： J.A.桑蒂兰;S.库塔思;H.高 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种衬底支撑结构，包括由陶瓷复合材料形成的衬底支撑结构主体，该主体具有第一表面、与第一表面间隔开的第二表面以及跨越衬底支撑结构主体的第一表面和第二表面的外围。衬底支撑结构主体的第一表面、第二表面和外围由陶瓷复合材料限定。该陶瓷复合材料包括以下两种或更多种成分：(a)氮化铝(AlN)成分，(b)氧氮化铝(Al2.81O3.56N0.44,AlON)成分，(c)α‑氧化铝(α‑Al2O3)成分，(d)钇铝石榴石(Y3Al5O12,YAG)成分，(e)钇铝单斜晶(Y4Al2O9,YAM)成分，(f)钇铝钙钛矿(YAlO3,YAP)成分，以及(g)氧化钇(Y2O3)成分。还描述了半导体处理系统和制造衬底支撑结构的方法。
衬底支撑结构制造方法

[发明专利]静电卡盘、包括其的组件以及控制静电卡盘温度的方法-CN202210757037.3在审
发明人： J.A.桑蒂兰;H.高;S.库塔思;李昌敏 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开了静电卡盘和使用静电卡盘的方法。示例性静电卡盘包括陶瓷主体、嵌入陶瓷主体内的加热元件以及嵌入陶瓷主体内的两个或更多个温度测量装置。示例性方法包括使用两个或更多个竖直间隔开的温度测量装置测量静电卡盘内的温度。
静电卡盘包括组件以及控制温度方法

[发明专利]静电卡盘-CN202210014694.9在审
发明人： J.A.桑蒂兰;H.高;S.库塔思 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开了静电卡盘和形成静电卡盘的方法。示例性静电卡盘包括陶瓷主体、嵌入陶瓷主体内的器件以及形成在器件上的界面层。示例性方法包括在模具内提供陶瓷前体材料，提供器件，用界面材料涂覆器件以形成涂覆的器件，将涂覆的器件放置在陶瓷前体材料上或内，以及烧结陶瓷前体材料以形成静电卡盘和器件与烧结步骤期间形成的陶瓷材料之间的界面层。
静电卡盘