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[发明专利]N-氟烷基取代的二溴萘二酰亚胺及其用作半导体的用途-CN201580032374.4有效
发明人： T·格斯纳;D·克尔布莱因;J·布里尔;T·穆西奥尔;F·维特内尔;S-L·苏拉鲁;M·施托尔特 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)化合物，其中R¹和R²彼此独立地选自1H,1H‑C₂‑C₁₀全氟烷基和1H,1H,2H,2H‑C₃‑C₁₀全氟烷基，但是不包括其中R¹和R²皆为1H,1H‑全氟丁基的式I化合物；还涉及其用途，其尤其用作n型半导体。
烷基取代二溴萘二酰亚胺及其用作半导体用途

[发明专利]基于二酮基吡咯并吡咯的半导体-CN201180047342.3有效
发明人： F·维特内尔;S-L·苏拉鲁;P·哈约兹 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明涉及下式(I)的1,4-二酮基吡咯并[3,4-c]吡咯(DPP)衍生物，涉及其制造；其作为有机半导体，例如在半导体器件中，尤其是传感器、二极管、光电二极管、有机场效应晶体管、柔性显示器用晶体管和/或太阳能电池(光伏电池)的用途；涉及包含式I的二酮基吡咯并吡咯衍生物作为半导体有效装置的该类半导体器件，涉及含有所述半导体器件的装置。式I化合物在有机溶剂中具有优异的溶解性。当将所述化合物用于半导体器件或有机光伏(PV)器件中时可以观察到高能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的电流开/关比和/或优异的稳定性。
基于二酮基吡咯半导体