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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有应力均衡器的CSOI MEMS压力感测元件-CN201910481284.3有效
发明人： J-H.A.邱;S-H.S.陈 -专利权人：纬湃科技美国有限责任公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及压力感测元件，其包括支撑衬底，该支撑衬底包括腔。装置层结合到支撑衬底，其中装置层的隔膜以密封方式覆盖腔。多个压电电阻器联接到隔膜。多个金属应力均衡器安置在装置层上，使得每个应力均衡器大致邻近于对应的压电电阻器但与其分离。多个金属结合焊盘安置在装置层上。多个应力均衡器被构造和布置成减小由在压力感测元件的冷却和加热循环期间金属结合焊盘的应力松弛所导致的压力感测元件的热滞后。
具有应力均衡器 csoi mems 压力元件

[发明专利]带有扩展浅多边形腔的带腔绝缘体上硅MEMS压力传感装置-CN201710899010.7有效
发明人： J-H.A.邱;S-H.S.陈 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及带有扩展浅多边形腔的带腔绝缘体上硅MEMS压力传感装置。改进的微机电系统（MEMS）压力传感装置在硅支撑衬底的顶侧上具有扩展的浅多边形腔。二氧化硅埋层被形成在支撑衬底的顶侧与装置层的底侧之间。压电电阻器和结合片被形成并定位在装置层的顶侧上，并且响应对装置层施加的流体压力产生可测量的电压变化。扩展的浅多边形腔的目的在于在缩小MEMS压力传感装置芯片的芯片尺寸的时候改进灵敏度或增加量程、同时保持低的压力非线性，角部金属结合片具有排除距离以防止引线接合器弄坏薄膜。
带有扩展多边形绝缘体 mems 压力传感装置

[发明专利]应力隔离的绝对压力传感器-CN201680082401.3有效
发明人： S-H.S.陈;J-H.A.邱;R.C.科斯伯格;D.R.恩彭 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2016-09-02 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01L19/00 文献下载
摘要：使用弹簧式波纹状物或蛇形锯齿状物将微机电系统（MEMS）压力感测元件悬挂在空腔内，这减小了所述感测元件上的热失配机械应力。用凝胶覆盖弹簧式结构和感测元件进一步减小了热失配应力和振动动态应力。
应力隔离绝对压力传感器

[发明专利]3D堆叠压阻压力传感器-CN201610217262.2有效
发明人： J-H.A.邱;R.C.科斯伯格;S-H.S.陈 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：在微机电系统(MEMS)压力传感器中，通过在MEMS压力感测元件上堆叠专用集成电路(ASIC)并且使用形成在ASIC中的导电过孔连接彼此，替换在现有技术中用于将MEMS压力感测元件连接到ASIC以用于在这两个芯片之间的输入和输出信号的细的并且容易坏的接合线。如果不再使用接合线，则能够消除用于保护接合线、ASIC和MEMS压力感测元件的凝胶。在MEMS压力感测元件上堆叠ASIC并且使用导电过孔连接它们实现放置并且保护该装置的壳体的尺寸和成本的减小。
堆叠压力传感器

[发明专利]压阻式压力传感器设备-CN201510831756.5有效
发明人： J-H.A.邱;S-H.S.陈 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：公开了压阻式压力传感器设备。通过增加传感器的灵敏度来增加从低压力MEMS传感器输出的电压。通过使得低压力传感器设备的膜片变薄来增加灵敏度。通过同时在膜片的顶侧上产生交叉加固物来减少通过使得膜片变薄增加的非线性。顶侧的过蚀刻进一步增加灵敏度。
压阻式压力传感器设备

[发明专利]具有堆叠的IC的对称压阻压力传感器-CN201610215271.8有效
发明人： S-H.S.陈;R.C.科斯伯格;J-H.A.邱 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：通过接合垫、导电过孔和互连件的对称分布以及通过消除在现有技术中用于将MEMS压力感测元件连接到专用集成电路(ASIC)的接合线，减少了微机电系统(MEMS)压力传感器中的电噪声和机械噪声。通过使用导电过孔将ASIC连接到MEMS压力感测元件，消除接合线。通过包围输出信号接合垫的导电环以及包围导电环和接合垫的导电环路，抑制无关电噪声。导电环和导电环路连接到固定电压或地电势。
具有堆叠 ic 对称压力传感器

[发明专利]具有高灵敏度和高精确度的压力传感器器件-CN201510247245.9有效
发明人： J-H.A.邱;S-H.S.陈 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高灵敏度和高精确度的压力传感器器件。具体地，通过增加该传感器的灵敏度，增加从低压MEMS传感器输出的电压。通过使具有转角沟槽的低压传感器器件的膜板变薄，增加灵敏度。通过同时创建交叉加强件到膜板的底侧，降低通过使膜板变薄而增加的非线性。还可以添加缘边、锚固件和加强件衬垫，以进一步加固较薄的膜板并进一步降低压力非线性。
具有灵敏度精确度压力传感器器件

[发明专利]最小化热噪声的半导体传感器件-CN201310035555.5有效
发明人： J-H.A.邱;S-H.S.陈 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及最小化热噪声的半导体传感器件。一种MEMS压力传感器被设计来减少或消除热噪声、诸如温度偏移电压输出。该压力传感器包括具有膜片以及腔的压力传感元件，所述腔被形成为压力传感元件的部分，其中所述腔容纳流体，使得膜片至少部分地偏转。该压力传感元件还包括多个压电电阻器，所述多个压电电阻器在工作中基于膜片中的偏转量来生成信号。至少一个沟槽被整体地形成为压力传感元件的部分，并且胶粘剂把压力传感元件连接到至少一个基板，使得胶粘剂的至少部分被附着到所述沟槽，并且将压力传感元件上的热感应应力重新分配，使得热感应噪声基本上被消除。
最小化噪声半导体传感器件

[发明专利]用于模收缩和高灵敏度的具有锚定件的压力传感器装置-CN201710334642.9在审
发明人： J-H.A.邱;S-H.S.陈 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明公开用于模收缩和高灵敏度的具有锚定件的压力传感器装置。通过减薄膜片并且使所述膜片形成为包括锚定件，增加来自MEMS压力传感器的电压输出跨度和灵敏度并且降低压力非线性，其中所述锚定件不被连接到膜片加劲梁或膜片的加厚区，或者不被接到膜片加劲梁或膜片的加厚区上。
用于收缩灵敏度具有锚定压力传感器装置

[发明专利]具有低热噪声的压阻式转换器-CN201310588418.4在审
发明人： J-H.A.邱;X.丁;S-H.S.陈;J.弗里 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有低热噪声的压阻式转换器。在膜片被定位成从管芯的中心偏置的MEMS压阻式压力转换器中，通过将惠斯通电桥电路定位成远离支承台座和管芯的最大区域，使在惠斯通电桥电路的输出中的热感生的热噪声得到降低。
具有低热噪声压阻式转换器

[发明专利]用于芯片安装和介质密封的带槽结构-CN201180017419.2有效
发明人： J-H.A.邱;S-H.S.陈 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：在单个硅芯片中形成的双压阻式换能器阳极结合到支座。两个独立压力端口延伸通过塑料壳体。壳体内的端口开口由凹槽环绕，所述凹槽具有接收支座的形状和尺寸。薄液体粘结剂沉积到凹槽中且被允许变得水平。支座放置到粘结剂中且自己嵌入在其中。通过定尺寸凹槽和沉积填充凹槽但是在支座放置在其中时不溢流的粘结剂量，避免端口中的粘结剂溢流。一旦粘结剂固化，由于粘结剂相对于凹槽侧壁和支座侧壁剪切，粘结剂结合强度更大。带槽结构提供精确芯片安装和介质密封的设备和方法。
用于芯片安装介质密封结构

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