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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有III族氮化物和金刚石层的晶片-CN201880050496.X在审
发明人：赵参烈;李源祥 -专利权人： RFHIC公司(KR)
申请日： 2018-07-08 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了包括金刚石层(1306)和具有III族氮化物的半导体层(1310)的晶片(1309)以及用于制造该晶片(1309)的方法。在硅衬底(1302)上形成第一SiC层(1304)，并且使用含碳气体将第一SiC层(1304)的表面碳化以在SiC层上形成碳颗粒。然后，在碳化表面上生长金刚石层(1306)，其中，碳原子作为生长金刚石层的种子颗粒。在金刚石层(1306)上形成第二SiC层(1308)，并且在第二SiC层(1308)上形成具有III族氮化物的半导体层(1310)。然后，去除硅衬底(1302)和第一SiC层(1304)。
具有 iii 氮化物金刚石晶片

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