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[实用新型]集成电路与射频功率放大器-CN202221110652.7有效
发明人： S·欧亚西亚;R·莱莫尼;E·威尔海姆 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及集成电路与射频功率放大器，集成电路包括第一级联射频(RF)功率放大器，功率放大器包括：第一共源极晶体管，具有被配置为接收第一RF信号的栅极和被连接到中性点的源极；第一共栅极晶体管，具有被连接到电源节点的栅极和漏极以及被连接到第一共源极晶体管的漏极的源极；以及第一电阻器，被耦合到第一共栅极晶体管的主体与第一主体偏压节点之间，第一主体偏压节点被配置为提供大于或等于第一共栅极晶体管的源极处的电压的电压，其中第一电阻器被配置为获得浮点。这能够改良射频功率放大器的性能并且射频功率放大器的尺寸较小，电路简单且廉价。
集成电路射频功率放大器

[发明专利]射频放大器-CN202180014960.1在审
发明人： R·莱莫尼;S·欧亚西亚;E·威尔海姆;C·布亚瓦勒 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2021-02-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：根据一个方面，提出了一种包括射频放大器的集成电路，包括‑至少两个放大器级(DS、PS)，‑在所述射频放大器的两个放大器级(DS、PS)之间的阻抗适配装置(DAI)，所述适配装置包括通过电磁感应耦联的两条线路(L1、L2)，第一线路(L1)连接到所述第一放大器级(DS)的输出并且第二线路(L2)连接到所述第二放大器级(PS)的输入。
射频放大器