“R·塞维拉克”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]卤代聚合物的自由基聚合制备工艺和卤代聚合物-CN200910145956.X有效
发明人： P·拉克鲁瓦-德斯马泽斯;R·塞维拉克;B·布特文;V·博达特;V·库罗夫斯基 -专利权人：索尔维公司
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C08F214/08 文献下载
摘要：卤代聚合物的自由基聚合制备工艺，采用一种或多种烯键不饱和单体-其中至少一种选自卤代单体-、分子碘和一种或多种选自重氮化合物、过氧化物和二烷基苯基链烷烃的自由基发生剂。嵌段共聚物-其中至少一种嵌段是卤代聚合物嵌段-从用以上所述工艺制备的卤代聚合物出发的自由基聚合制备工艺。卤代聚合物，其数均分子量M_n大于1.0×10⁴且M_z/M_w比值小于1.65。嵌段共聚物-其中至少一种嵌段是与以上所述卤代聚合物相同的卤代聚合物嵌段。包含至少一种卤代聚合物嵌段的嵌段共聚物，其数均分子量M_n大于1.5×10⁴且多分散性指数M_w/M_n小于1.60。
聚合物自由基聚合制备工艺

[发明专利]卤代聚合物的自由基聚合制备工艺和卤代聚合物-CN200910145955.5有效
发明人： P·拉克鲁瓦-德斯马泽斯;R·塞维拉克;B·布特文;V·博达特;V·库罗夫斯基 -专利权人：索尔维公司
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C08F293/00 文献下载
摘要：卤代聚合物的自由基聚合制备工艺，采用一种或多种烯键不饱和单体-其中至少一种选自卤代单体-、分子碘和一种或多种选自重氮化合物、过氧化物和二烷基苯基链烷烃的自由基发生剂。嵌段共聚物-其中至少一种嵌段是卤代聚合物嵌段-从用以上所述工艺制备的卤代聚合物出发的自由基聚合制备工艺。卤代聚合物，其数均分子量M_n大于1.0×10⁴且M_z/M_w比值小于1.65。嵌段共聚物-其中至少一种嵌段是与以上所述卤代聚合物相同的卤代聚合物嵌段。包含至少一种卤代聚合物嵌段的嵌段共聚物，其数均分子量M_n大于1.5×10⁴且多分散性指数M_w/M_n小于1.60。
聚合物自由基聚合制备工艺

[发明专利]氟碳化合物接枝聚硅氧烷-CN200680010487.5无效
发明人： M·J·－J·帕邦;R·塞维拉克;E·A·普肖瓦;M·佩尔东 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2006-01-31 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C08K3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于对基材提供斥油性、斥水性及耐污性的组合物，所述组合物包含通过使多氟烷基磺酰卤与式II：(E－(O)_q)₃Si－O－(Si(R²)₂－O)_m－[Si(R³－NHR⁴)(R²)O]_n－Si－((O)_q－E)₃、式III：HR⁴N－R³－Si(R²)₂－O－[Si(R²)₂－O]_m－[Si(R³－NHR⁴)(R²)O]_n－Si(R²)₂－R³－NHR⁴或式IV：HR⁴N－R³－Si(R²)₂－O－[Si(R²)₂－O]_m－Si－((O)_q－E)₃的化合物接触制备的聚合物，其中每个R²独立地为C₁至C₈烷基，每个R³独立地为含有碳、氧和任选的氮、氧和硫中至少一种的二价基团，每个R⁴独立地为H或C₁至C₈烷基，每个E独立地为C₁至C₈支化或线形烷基，每个q独立地为零或1，m为正整数，n独立地为零或正整数，使得n/(m+n)为零或具有高至约0.7值的正分数，且在20℃温度时在0.1s^－1的剪切速率下聚合物粘度小于或等于10000MPa.s。
碳化接枝聚硅氧烷

[发明专利]卤代聚合物的自由基聚合制备工艺和卤代聚合物-CN03816701.8无效
发明人： P·拉克鲁瓦－德斯马泽斯;R·塞维拉克;B·布特文;V·博达特;V·库罗夫斯基 -专利权人：索尔维公司
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： C08F14/00 文献下载
摘要：卤代聚合物的自由基聚合制备工艺，采用一种或多种烯键不饱和单体－其中至少一种选自卤代单体－、分子碘和一种或多种选自重氮化合物、过氧化物和二烷基苯基链烷烃的自由基发生剂。嵌段共聚物－其中至少一种嵌段是卤代聚合物嵌段－从用以上所述工艺制备的卤代聚合物出发的自由基聚合制备工艺。卤代聚合物，其数均分子量M_n大于1.0×10⁴且M_z/M_w比值小于1.65。嵌段共聚物－其中至少一种嵌段是与以上所述卤代聚合物相同的卤代聚合物嵌段。包含至少一种卤代聚合物嵌段的嵌段共聚物，其数均分子量M_n大于1.5×10⁴且多分散性指数M_w/M_n小于1.60。
聚合物自由基聚合制备工艺