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[发明专利]用于CAD与硅背侧图像对准的可见对准标记/界标-CN201780055591.4有效
发明人： R·萨勒姆;L·Z·V·恩德里纳尔;H·利姆;H·布那利姆;R·金姆;L·兰加纳坦;M·马拉布里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种MOS IC包括第一标准单元，第一标准单元包括第一电源轨和第二电源轨、第一有源区域和第二有源区域、以及多个金属互连件。第一电源轨在第一方向上延伸并且向第一标准单元提供第一电压。第二电源轨在第一方向上延伸并且向第一标准单元提供第二电压。第一有源区域在第一标准单元的第一侧上、在第一电源轨与第二电源轨之间。第二有源区域在第一标准单元的第二侧上、在第一电源轨与第二电源轨之间。第二有源区域与第一有源区域分开。多个金属互连件在第二方向上、在第一有源区域与第二有源区域之间以及在第一电源轨与第二电源轨之间延伸。第二方向与第一方向正交。
用于 cad 硅背侧图像对准可见标记界标

[发明专利]FINFET装置的设计和集成-CN201480067898.2在审
发明人： R·金姆;K·利姆;Y·S·崔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：在所描述的示例中，包含finFET(114、116)的集成电路(100)可以被形成有在绝缘氧化物(110)上延伸的鳍(104)。第一finFET(114)和第二finFET(116)具有相差至少25％的暴露鳍高度(118、120)。暴露鳍高度(118、120)是鳍(104)的在绝缘氧化物(110)上的侧壁的垂直高度。栅极(112)被形成在鳍(104)上。在一个版本中，所述第一finFET(114)的鳍高度(118)是少于所述第二finFET(116)的鳍高度(120)；与所述第一finFET(114)和所述第二finFET(116)的鳍(104)相邻的所述绝缘氧化物(110)的厚度(122)是大体上相等的。鳍高度(124、126)是鳍(104)的顶部的在基板(102)上的高度。
finfet 装置设计集成

[发明专利]将燃烧空气受控引入热回收型焦炉的次级加热空间的装置与方法-CN201380050273.0无效
发明人： R·金姆;M·凯撒 -专利权人：蒂森克虏伯工业解决方案股份公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： C10B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将燃烧空气受控引入到焦炉的次级空气底台的装置，其包括用于燃烧空气的至少一个集气管，其在焦炉组的焦炉的焦炉室门之下延展，该集气管具有进入至少一个焦炉室的至少一个支路，燃烧空气经由支路被引入至少一个焦炉的次级空气底台中，用于焦化气的完全燃烧，从而焦炉底台中的燃烧被优化并且碳化工艺过程进而可被控制。优选地可以通过适当的调节设备来分别向每个焦炉供应燃烧空气，从而每个焦炉可以在碳化工艺过程中被分别供应燃烧空气，考虑到焦炉组的焦炉室中时间移位的碳化进度，这有巨大优点。本发明还涉及将燃烧空气受控引入到焦炉组的至少一个焦炉的次级空气底台的方法。
燃烧空气受控引入回收焦炉次级加热空间装置方法