专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]脉冲氮化物封装-CN201680016144.3有效
  • P·J·赖利;D·A·贝思克;M·巴尔西努 - 应用材料公司
  • 2016-03-18 - 2021-10-08 - H01L21/02
  • 本公开的多个方面涉及在图案化的基板上形成保形衬垫的方法,所述图案化的基板具有高的高宽纵横比的间隙。已发现根据本文所概述的实施例形成的层抑制跨保形衬垫的扩散和电泄漏。根据实施例,衬垫可包含氮并且被描述为氮化物层。在实施例中,保形衬垫可包含硅和氮并且可由硅和氮组成。本文所述的方法可包含将含硅前体和含氮前体引入基板处理区域中,并且同时将脉冲等离子体功率电容性地施加至基板处理区域以形成保形层。
  • 脉冲氮化物封装
  • [发明专利]缺陷平面化-CN201680017309.9有效
  • P·J·赖利;D·A·贝思克;K·李 - 应用材料公司
  • 2016-03-23 - 2021-09-14 - H01L21/02
  • 本公开内容的多个方面涉及在图案化的基板上形成平面非晶碳层的方法。根据本文所概述的实施例形成的层可通过以下方式来提高制造良率:无论下层拓扑或化学计量变化如何都使非晶碳层的顶表面更平面。在实施例中,非晶碳层可包含碳和氢,可由碳和氢组成,或者可包含碳、氢和氮或由碳、氢和氮组成。本文中所述的方法可以包括:以相对于烃的相对高的比率将含氢前体引入基板处理区域中,并且同时将局部等离子体功率电容性地施加至基板处理区域以形成平面层。替代地,氢:碳的原子流比可在开始时为低,并且在形成非晶碳层期间离散地或平滑地增加。
  • 缺陷平面化

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