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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光电二极管和光电二极管的制造方法-CN202310337818.1在审
发明人： B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;P·福特内奥 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开涉及光电二极管和光电二极管的制造方法。在具有第一表面和第二表面的半导体衬底中形成光电二极管。半导体衬底包括通过外延生长形成的第一N型半导体区域和从第一表面延伸到第一N型半导体区域中的第二N型半导体区域(比第一区域更重掺杂)。第一N型半导体区域的掺杂剂浓度在半导体衬底的第二表面和第一表面之间逐渐增加。在第一表面的第二N型半导体区域中形成注入的重P型掺杂区域。
光电二极管制造方法

[发明专利]存储器单元-CN201710109171.1有效
发明人： H·艾迪拉尼;Y·索拉罗;P·福特内奥 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种能够被用作存储器单元的微电子部件。该部件包括半导体层，该半导体层搁置在绝缘层上并且包括第一导电类型的掺杂源极区域、第二导电类型的掺杂漏极区域以及该第二导电类型的未掺杂或比该漏极区域更轻掺杂的中间区域，该中间区域包括分别从该漏极区域延伸和该源极区域延伸的第一部分和第二部分。绝缘前栅极电极搁置在该第一部分上。第一后栅极电极和第二后栅极电极被安排在该绝缘层下方，分别与该第一部分和第二部分相反。
存储器单元

[实用新型]图像传感器-CN202020062918.X有效
发明人： L·盖伊;F·拉兰尼;Y·昂力翁;F·居亚代;P·福特内奥;A·塞纳德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及图像传感器。一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体层，具有前侧和背侧；电容性绝缘壁，从所述半导体层的所述前侧延伸到所述半导体层的所述背侧，所述电容性绝缘壁包括第一绝缘壁和第二绝缘壁；导体或半导体材料的区域，在所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁之间延伸，所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁中的每个绝缘壁具有从所述半导体层的所述背侧并且从所述导体或半导体材料的所述区域的背侧突出的部分；以及电介质钝化层，涂覆所述半导体层的所述背侧和所述导体或半导体材料的所述区域的所述背侧，所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁的所述突出的部分的背侧未被所述电介质钝化层覆盖。
图像传感器

[发明专利]背照式图像传感器-CN202010033298.1在审
发明人： L·盖伊;F·拉兰尼;Y·昂力翁;F·居亚代;P·福特内奥;A·塞纳德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及背照式图像传感器。提供了图像传感器和制造图像传感器的方法。一种这种方法包括形成一种结构，该结构包括从前侧延伸到背侧的半导体层以及延伸穿过半导体层的电容性绝缘壁。电容性绝缘壁包括被导体或半导体材料的区域分离的第一绝缘壁和第二绝缘壁。半导体层以及导体或半导体材料的区域的部分被选择性地刻蚀，并且第一绝缘壁和第二绝缘壁具有向外突出超过半导体层的背侧和导体或半导体材料的区域的背侧的部分。电介质钝化层被沉积在结构的背侧上，并且在第一和第二绝缘壁的突出部分的背侧上的电介质钝化层的部分被局部地去除。
背照式图像传感器

[实用新型]反相器-CN201920310230.6有效
发明人： H·埃尔迪拉尼;P·福特内奥 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及反相器。一种反相器包括半导体衬底。Z²‑FET开关设置在半导体衬底的第一表面处，并且又一开关设置在半导体衬底的第一表面处。又一开关和Z²‑FET开关具有耦合在第一参考端子和第二参考端子之间的电流路径。
反相器衬底半导体参考端子第一表面电流路径开关设置耦合

[发明专利]反相电路-CN201910185655.3在审
发明人： H·埃尔迪拉尼;P·福特内奥 -专利权人：意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及反相电路。一种反相器包括半导体衬底。Z²‑FET开关设置在半导体衬底的第一表面处，并且又一开关设置在半导体衬底的第一表面处。又一开关和Z²‑FET开关具有耦合在第一参考端子和第二参考端子之间的电流路径。
衬底半导体参考端子第一表面反相电路电流路径开关设置耦合反相器

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