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[发明专利]MRAM磁干扰诊断系统-CN201911278429.6在审
发明人： P·桑吉瓦拉奥;R·伊古奇;A·罗伊 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本公开涉及MRAM磁干扰诊断系统。提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)诊断系统的实施例，其包括：在诊断模式期间将MRAM单元阵列中的所有位单元预处理为数据值一，其中所述MRAM单元阵列在半导体衬底的有源侧中实施；在所述预处理之后，将具有预定场强的第一磁干扰场施加到所述MRAM单元阵列，其中所述第一磁干扰场由天线生成，所述天线在所述半导体衬底的所述有源侧上方的多个导电和介电材料层中实施；在所述施加所述第一磁干扰场之后，执行第一纠错码(ECC)读取操作以读取所述MRAM单元阵列；以及响应于在所述第一ECC读取操作期间检测到至少一个不可纠正的读取，设置失效状态并退出所述诊断模式。
mram 干扰诊断系统

[发明专利]负电压生成-CN201080014872.3有效
发明人： J·乔伊;D·W·克鲁迪姆斯基;P·桑吉瓦拉奥 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：第一逻辑状态在电平转换器(225)的第一输出处为第一输出电压电平，该第一输出电压电平响应于第一逻辑状态而选择第一负调节电压电平。负供电电压开始于第一电势并且减小到第一负调节电压电平。第一输出电压电平随着负供电电压减小而减小。电平转换器(225)的第一输出响应于负供电电压达到第一负调节电压电平而从第一逻辑状态切换到第二逻辑状态。以第二输出电压电平提供第二逻辑状态，该第二输出电压电平为负调节电压选择第二负调节电压电平。电平转换器的第一输出维持在第二逻辑状态但是电压减小。
电压生成