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[发明专利]用于三维牙科成像的静态口内层析合成成像系统、方法和计算机可读介质-CN201780042434.X有效
发明人： J·陆;O·Z·周;A·塔克;J·尚;B·冈萨雷斯 -专利权人：新维沃有限公司;北卡罗来纳大学教堂山分校
申请日： 2017-02-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： A61B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于生成一个或多个二维(2D)x射线投影图像并且用于利用计算平台将一个或多个2D x射线投影图像重建成对象(诸如患者的牙齿)的一个或多个3D图像的口内三维(3D)层析合成成像系统、方法和非暂态计算机可读介质，一个或多个3D图像然后可显示于监视器上以增强牙科疾病的诊断精度。口内3D层析合成成像系统可包括连接至铰接臂的一个端部的可壁装控制单元，铰接臂的另一端部连接至x射线源，x射线源配置成生成x射线辐射，x射线辐射由通过x射线检测器保持器保持于期望位置的x射线检测器采集，x射线检测器保持器在x射线源的发射区域处可移除地联接至准直器。
用于三维牙科成像静态层析合成系统方法计算机可读介质

[发明专利]固定X射线数字化乳房断层合成系统和相关方法-CN200880107680.X有效
发明人： O·Z·周;杨光;卢健平;D·拉卢希 -专利权人：北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校;北卡罗来纳州大学
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： A61B6/04 文献下载
摘要：公开了一种固定X射线数字化乳房断层合成系统和相关方法。根据一个方面，在此描述的主题可以包括具有多个固定场发射X射线源的X射线断层合成系统，该固定场发射X射线源配置为利用X射线束来照射用于定位要成像的对象的位置，以生成对象的投影图像。X射线探测器可以配置为探测对象的投影图像。投影图像重建功能可以配置为基于对象的投影图像来重建对象的断层摄影图像。
固定射线数字化乳房断层合成系统相关方法

[发明专利]在多个位置产生多个X射线束的装置和方法-CN200480022450.5有效
发明人： Q·秋;J·卢;O·Z·周 -专利权人：新泰科有限公司
申请日： 2004-05-25 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01J35/06 文献下载
摘要：一种多束x射线发生装置，包括具有多个固定、独立可控并且以预定图案置于阴极上的电子发射像素的固定场发射阴极、与阴极面对并包含与像素预定图案对应的预定图案而放置的多个焦点的阳极、以及包围阴极和阳极的真空室。另一种结构呈x射线发生装置的形式，它包括固定场发射阴极，该阴极具有平坦表面，在该平坦表面的至少一部分上置有电子发射材料、相对于阴极平坦表面呈平行相隔关系放置并具有多个大小不同的开口的栅电极、与阴极相对并与之间隔且具有与电子发射材料对齐的多个焦点的阳极、以及包围阳极和阴极的真空室，其中，可操作栅电极，使得可以对开口进行操作，以使从阴极发射的至少一个电子束与至少一个焦点对准或不对准。本发明还描述了相关方法。
位置产生射线装置方法

[发明专利]大区域可单独寻址的多束X射线系统-CN03806739.0无效
发明人： O·Z·周;卢健平;邱齐 -专利权人：北卡罗来纳－查佩尔山大学
申请日： 2003-01-09 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01J35/00 文献下载
摘要：一种用于产生x射线的结构具有多个固定的且单个地电可寻址的场致发射电子源(402)，其具有包括场致发射材料的基片，诸如碳纳米管。以预定的频率电切换场致发射电子源以可编程的序列朝着靶上的入射点发射电子。产生的x射线频率上和位置上相应于场致发射电子源。大区域靶(404)和发射器(402)的阵列或者矩阵可以从不同的位置和/或角度来成像物体(416)，而不移动物体或者结构(400)，以及可以产生三维图像。该x射线系统适于各种应用，包括工业检查/质量控制、分析仪器、诸如机场安全检查系统之类的安全系统，以及诸如计算机断层之类的医学成像。
区域单独寻址射线系统

[发明专利]纳米结构材料的沉积法-CN02827708.2无效
发明人： O·Z·周;B·高;G·岳;S·欧 -专利权人：北卡罗来纳－查佩尔山大学;新泰科有限公司
申请日： 2002-11-20 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： C25D13/02 文献下载
摘要：一种用来将纳米结构材料的涂层沉积到基质上的方法，该方法包括：(1)形成含有纳米结构材料的溶液或悬浮液；(2)有选择性地将“电荷增添剂”加到上述溶液中；(3)将电极浸入上述溶液中，准备要在其上沉积纳米结构材料的基质作为电极之一；(4)加上直流电和/或交流电，由此在电极之间产生能保持一段时间的电场，借此使溶液中的纳米结构材料向上述基质电极迁移并附着其上；和(5)任选地随后加工上述涂层基质。
纳米结构材料沉积

[发明专利]制作具有增强的电子场发射性质的纳米管基材料的方法-CN02816146.7有效
发明人： O·Z·周 -专利权人：北卡罗来纳－查佩尔山大学
申请日： 2002-06-18 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： D01F9/12 文献下载
摘要：一种降低纳米结构或者含纳米管材料的电子逸出功、降低其阈值场发射值、将半导体行为转变成为金属行为、增加在费米能级处的电子态密度和增加电子发射位置密度的方法，该方法包括：在含有纳米管的材料中形成开口；将诸如碱金属的外来物质引入到至少一些所述开口中，以及封闭该开口，从而形成填充有该外来物质的胶囊，并且使用这些胶囊形成场发射阴极和平板显示器。
制作具有增强电子发射性质纳米基材方法

[发明专利]纳米管基高能量材料及其制备方法-CN200410007706.7有效
发明人： O·Z·周;B·高 -专利权人：北卡罗来纳－查佩尔山大学
申请日： 2000-02-24 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：一种含有碳的同素异形体，如单壁碳纳米管的碳基材料，其能够接纳掺入的碱金属。该材料呈现的可逆容量在约650mAh/g－1000mAh/g之间。该材料的高容量使其对许多应用，如电池的电极材料(50)具有吸引力。一种生产单壁碳纳米管的方法，包括提纯回收的纳米管材料和将提纯的材料沉积在一种导电基体(42)上。将该有涂层的基体(42)装入一种电化学电池中，并且测量其接纳掺入的材料，如一种碱金属(例如锂)的能力。
纳米高能量材料及其制备方法

[发明专利]纳米管基高能量材料及其制备方法-CN00806392.3有效
发明人： O·Z·周;B·高 -专利权人：北卡罗来纳－查佩尔山大学
申请日： 2000-02-24 - 公布日： 2002-05-01 - 主分类号： C01F5/42 文献下载
摘要：一种含有碳的同素异形体,如单壁碳纳米管的碳基材料,其能够接纳掺入的碱金属。该材料呈现的可逆容量在约650mAh/g－1000mAh/g之间。该材料的高容量使其对许多应用,如电池的电极材料(50)具有吸引力。一种生产单壁碳纳米管的方法,包括提纯回收的纳米管材料和将提纯的材料沉积在一种导电基体(42)上。将该有涂层的基体(42)装入一种电化学电池中,并且测量其接纳掺入的材料,如一种碱金属(例如锂)的能力。
纳米高能量材料及其制备方法