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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]反向导通功率半导体器件-CN201610442461.3有效
发明人： N·洛普希蒂斯;F·尤德雷;U·维穆拉帕蒂;I·尼斯托;M·阿诺德;J·沃贝基;M·拉希莫 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：提供一种反向导通功率半导体。其包括多个二极管单元(312)和多个栅极换流晶闸管(GCT)单元(32)。每个GCT单元(32)包括第一阴极层(34)，其中每个GCT单元(32)的第一阴极层(34)包括至少三个阴极层区域(34a、34b)，其通过基层(35)相互分开，其中在平行于第一主侧面(41)的平面上的正交投影中，阴极层区域(34a、34b)的每个为具有沿着其纵轴的方向上的长度和垂直于纵轴的方向上的宽度(w、w’)的条形，其中在至少一混合部分中二极管单元(312)在横向方向上与GCT单元(32)交替布置，其中在每个GCT单元(32)中，贴近与该GCT单元(32)邻近的二极管单元(312)的两个外部阴极层区域(34b)的每个的宽度(w’)小于位于该GCT单元(32)中的两个外部阴极层区域(34b)之间的任何中间阴极层区域(34a)的宽度(w)。
向导功率半导体器件

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