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[实用新型]功率放大器PA-CN202122312358.6有效
发明人： M·M·R·艾斯梅尔 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本公开涉及功率放大器PA布置。公开分段的功率放大器(PA)布置。示例PA布置包括至少第一和第二PA段，每个PA段具有PA和前馈自适应偏置电路的相应组合，被配置为为相应的PA生成偏置信号。每个偏置信号具有第一DC分量、至少一个音调分量、以及至少一个音调分量的至少一个谐波。PA布置还包括功率分流电路，被配置为将PA布置的输入信号分成用于第一PA段的第一PA输入信号和用于第二PA段的第二PA输入信号，其中所述第一PA输入信号的功率大于所述第二PA输入信号的功率。
功率放大器 pa

[发明专利]具有感测RF信号并在不同端子提供偏置信号的线性化晶体管的偏置布置-CN202111170256.3在审
发明人： M·穆巴拉克;M·M·R·艾斯梅尔;M·威海巴 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本公开涉及具有感测RF信号并在不同端子提供偏置信号的线性化晶体管的偏置布置。公开了用于放大器的偏置布置。一种示例性布置包括偏置电路和线性化电路，该偏置电路被配置成产生用于放大器的偏置信号，该线性化电路被配置成通过基于指示待由放大器放大的RF输入信号的RF信号来修改偏置信号，而提高放大器的线性度。线性化电路包括用于接收偏置信号的偏置信号输入、用于接收RF信号的RF信号输入以及用于提供经修改偏置信号的输出。该线性化电路进一步包括至少第一线性化晶体管，具有第一端子、第二端子和第三端子，其中该线性化电路的偏置信号输入和RF信号输入中的每一者耦合至第一线性化晶体管的第一端子，并且该线性化电路的输出耦合至第一线性化晶体管的第三端子。
有感 rf 信号不同端子提供偏置线性化晶体管布置

[发明专利]用于改善放大器线性度的偏置布置-CN202110114853.8在审
发明人： M·穆巴拉克;M·威海巴;M·M·R·艾斯梅尔 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本公开涉及用于改善放大器线性度的偏置布置。公开用于放大器的偏置布置。用于放大器的示例偏置布置包括：偏置电路，被配置为产生用于放大器的偏置信号；线性化电路，被配置为通过修改由偏置电路产生的偏置信号以产生要提供给放大器的修改后的偏置信号来改善放大器的线性度；和耦合电路，被配置为耦合偏置电路和线性化电路。提供通过偏置电路彼此耦合的分开的偏置和线性化电路允许将线性化操作与偏置回路分开，以克服利用单个偏置回路的现有技术偏置布置的一些缺点。
用于改善放大器线性偏置布置

[发明专利]用于功率放大器的击穿保护电路-CN201910719189.2在审
发明人： M·M·R·艾斯梅尔 -专利权人：亚德诺半导体无限责任公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本公开涉及用于功率放大器的击穿保护电路。公开了用于提高放大器的可靠性和/或减少或防止放大器的击穿(特别是放大器的晶体管的击穿)的系统、方法和设备。保护电路可以电耦合到放大器，并且可以配置成减少放大器处的电压摆动。放大器可以包括第一晶体管，并且保护电路可以包括电耦合到放大器的第一晶体管的控制端子的第二晶体管。当保护电路的第二晶体管的控制端子处的电源满足阈值功率时，保护电路可以配置为降低放大器的第一晶体管的电源端子处的功率。通过降低放大器的第一晶体管的电源端处的电压，保护电路可以允许放大器安全地操作，而不会发生击穿。
用于功率放大器击穿保护电路

[发明专利]电压可变衰减器、集成电路和衰减方法-CN201711343320.7在审
发明人： A·M·A·欧斯曼;M·M·R·艾斯梅尔 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本公开涉及电压可变衰减器、集成电路和衰减方法。本公开提供具有可控匹配网络的电压可变衰减器(VVA)。VVA的衰减部分的输出耦合匹配网络。匹配网络包括电阻元件，它可以是场效应晶体管(FET)，其电阻可以作为衰减的函数来控制。特别地，用于控制VVA的衰减部分的电阻的控制电压也被用于控制匹配网络的电阻元件。以这种方式，VVA的输出阻抗可以保持在期望的水平。
衰减匹配网络电压可变衰减器电阻元件电阻集成电路场效应晶体管控制电压输出阻抗输出耦合可控期望