专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发射极开关结构的驱动电路-CN200580052292.2无效
  • R·斯科洛;M·纳尼亚 - 意法半导体股份有限公司
  • 2005-12-13 - 2008-12-17 - H03K17/0412
  • 本发明涉及一种用于晶体管(BJT,MOS)的发射极开关结构(21)的驱动电路(30),该发射极开关结构(21)具有与驱动电路(30)连接的至少一个第一控制端子和一个第二控制端子(X1,X2)以形成接着具有相应的集电极、源极和栅极端子(C,S,G)的受控发射极开关器件(35)。所述驱动电路(30)包括至少一个插入在所述集电极端子(C)和电容器(C1)的第一端之间的IGBT器件(22),该电容器(C1)的第二端与所述第一控制端子(X1)相连,该IGBT器件(22)接着具有通过第一电阻性元件(R1)与所述栅极端子(G)连接的第三控制端子(X3),和插入在该栅极端子(G)和该第二控制端子(X2)之间的第二电阻性元件(R2)。该驱动电路(30)还包括附加电源(Va),该附加电源插入在电容器(C1)的第一端和第二端之间以保证其正确偏置。
  • 发射极开关结构驱动电路

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