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[发明专利]沉积氮化硅的方法-CN201980089876.9有效
发明人： L·C·卡鲁塔拉格;M·J·萨利;P·P·杰哈;梁璟梅 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。
沉积氮化方法

[发明专利]在图案化和未图案化的基板上的沉积膜的顺序沉积和高频等离子体处理-CN201980077353.2在审
发明人： V·V·瓦茨;H·俞;P·A·克劳斯;S·G·卡马斯;W·J·杜兰德;L·C·卡鲁塔拉格;A·B·玛里克;李昌陵;D·帕德希;M·J·萨利;T·C·楚;M·A·巴尔西努 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。
图案基板上沉积顺序高频等离子体处理