“K.辛格”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于增加拉出阻力的电缆保护盖-CN202211195453.5在审
发明人： T.克拉;H.卡拉比伊克;K.辛格;U.朗加尔;J.凯勒;F.埃钦格;M.H.埃尔穆萨蒂;D.法卡特西斯 -专利权人：泰科电子连接印度私有有限公司;泰连德国有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01R13/73 文献下载
摘要：本申请涉及一种配置成附接到电气设备(138)的壳体(40)的电缆保护盖(20)，电缆保护盖(20)包括适于将电缆保护盖(20)固定到壳体(40)的壳体附接部分(24)，壳体附接部分(24)还适于接收附接到壳体(40)的电连接器(50)并且包括连接器锁(27)，连接器锁(27)具有至少一个锁定构件(139)，该锁定构件适于至少在电连接器(50)的拉出方向(C)上将电连接器(50)限制在其附接到壳体(40)的位置。壳体附接部分，特别是具有其连接器锁的壳体附接部分，沿着拉出方向将电连接器机械地固定到壳体，并且因此增加了拉出力。本申请还涉及具有这种电缆保护盖(20)的组件(100)。
用于增加拉出阻力电缆保护

[发明专利]用于治疗假性变态反应的MRGPRX2拮抗剂-CN202210608467.9在审
发明人： M.库马尔;K.辛格;B.K.C.周 -专利权人：香港大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C07D221/14 文献下载
摘要：公开了具有抗变态反应性和/或抗炎性性质的化合物及其制备方法。这些化合物能阻断MMRGPRX2并且防止或减少肥大细胞激活。公开了适合用于将该化合物递送给需要其的受试者的单位剂型的药物制剂。除该化合物之外，药物制剂还可包含一种或多种活性剂，如一种或多种附加的抗变态反应剂和/或抗炎剂。药物制剂可通过口服使用、肠胃外施用、吸入、粘膜施用或其组合进行施用。还公开了在受试者中预防或治疗假性变态反应、假性变态反应性疾病和/或假性炎性疾病或者治疗或减轻与假性变态反应、假性变态反应性疾病和/或假性炎性疾病相关的一种或多种症状的方法。
用于治疗假性变态反应 mrgprx2 拮抗剂

[发明专利]电子设备及其屏幕捕获方法-CN202080064495.8在审
发明人： S.P.托塔;D.P.莫汉蒂;N.普雷;S.莫哈拉纳;M.戈亚尔;R.S.蒙贾尔;D.加格;D.纳加拉朱;K.辛格;C.巴特拉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06F3/04845 文献下载
摘要：一种用于电子设备中的智能屏幕捕获的方法，包括：由电子设备接收用于捕获显示在电子设备的屏幕上的内容的截屏的用户输入；由电子设备将电子设备的屏幕划分成多个块，多个块中的每个块包括显示在电子设备的屏幕上的相互关联的内容；由电子设备基于多个参数从多个块中识别至少一个块；以及由电子设备显示用于捕获至少一个块的截屏的向导用户界面。
电子设备及其屏幕捕获方法

[发明专利]温度传感器组件-CN202011384160.2在审
发明人： S.维彻特;K.辛格;D.赖斯;C.米勒;S.法斯 -专利权人：泰连德国有限公司;泰科电子连接印度私有有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01K1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种温度传感器组件(100)，特别是在汽车领域中使用的温度传感器组件，包括带有用于温度引脚(50)的容纳部(20)的托架部件(10)、用于测量温度的传感器元件(30)，以及用于将所述传感器元件(30)推入所述容纳部中的推动元件(40)。
温度传感器组件

[发明专利]用于安装在电动机中的传感器模块-CN202011136780.4在审
发明人： S.威彻特;M.拉文西兰;B.埃姆博;P.安吉;S.巴萨瓦拉朱;I.范基尔斯比尔克;K.辛格;M.多达曼维什韦什瓦拉帕 -专利权人：泰连德国有限公司;泰连比利时公司;泰科电子连接印度私有有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G01B21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于安装在电动机(2)中的传感器模块(1)。传感器模块(1)包括适于安装在电动机(2)的湿室(8)中的保持器(6)和适于安装在电动机(2)的干室(9)中的温度传感器(7)。旋转位置传感器(14)安装在保持器(6)上且温度传感器(7)与保持器(6)间隔开，其中旋转位置传感器(14)和温度传感器(7)经由多个信号线(13)连接到连接器接口(15)，该连接器接口适于插接到对应的连接器中。传感器模块(1)还包括布置在旋转位置传感器(14)和温度传感器(7)之间的密封元件(17)，密封元件由来自旋转位置传感器(14)和温度传感器(7)之一的信号线(13)密封地穿透。
用于安装电动机中的传感器模块

[发明专利]用于量子位的衬底设计-CN201780093998.6在审
发明人： J.M.罗伯茨;W.T.哈里逊;A.A.埃尔舍比尼;S.佩莱拉诺;Z.R.约斯科维茨;L.兰帕特;R.皮拉里塞蒂;R.考迪洛;H.C.乔治;N.K.托马斯;D.J.米夏拉克;K.辛格;J.S.克拉克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本公开的实施例提出量子位衬底以及其制造方法和相关装置组件。在本公开的一个方面中，量子位衬底包括掺杂半导体材料的基础衬底，以及在基础衬底上的基本本征半导体材料的层。以这种方式设计量子位衬底允许改进其上提供的量子位的相干时间，然而同时是足够机械稳健的，使得它可以有效地用于大规模制造。
用于量子衬底设计

[发明专利]具有印刷电路板的组件及固定印刷电路板的方法-CN201910737439.5在审
发明人： G.里德尔;A.舒尔兹;C.克雷默;O.斯特格;K.辛格;B.盖塞尔曼 -专利权人：泰连德国有限公司;泰科电子连接印度私有有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有印刷电路板(103)的壳体组件(100)以及一种将印刷电路板(103)固定在壳体组件(100)中的方法。组件(100)包括：第一壳体部分(101)，其具有从第一壳体部分(111)的基部向上延伸的第一保持元件(102)；第二壳体部分(104)，其具有从第二壳体部分(104)的盖向下延伸的第二保持元件(109)；印刷电路板(103)，其可附接到第一保持元件(102)的开口端；其中，当第一壳体部分(101)与第二壳体部分(104)接合时，第一保持元件(102)的开口端适于接收第二保持元件(109)的远端。
具有印刷电路板组件固定方法

[发明专利]用于自旋量子位的空缺中心的晶片级集成-CN201910221161.6在审
发明人： N.K.托马斯;M.拉多萨夫耶维奇;S.达斯古普塔;R.皮拉里塞蒂;K.辛格;H.C.乔治;J.M.罗伯茨;D.J.米夏拉克;R.考迪洛;Z.R.约斯科维茨;L.拉姆珀特;J.S.克拉克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：用于自旋量子位的空缺中心的晶片级集成。本公开的实施例提出了用于在半导体衬底上集成空缺中心（VC）以用于形成基于VC的自旋量子位器件的两种方法。第一种方法基于使用用于在半导体衬底上集成VC岛的自组装过程。第二种方法基于使用在半导体衬底之上的III‑N半导体材料的缓冲层，并且然后将VC岛集成在绝缘碳基材料中，该绝缘碳基材料诸如作为在III‑N缓冲层上的层生长或者在形成在III‑N缓冲层中的开口中生长的金刚石。根据这些方法中的任一项，通常在半导体制造中使用的在半导体衬底上集成VC岛可以提供关于用以构建基于VC的自旋量子位器件的常规方法的实质改进，并且可以促进基于VC的自旋量子位的晶片级集成在量子计算器件中的使用。
量子位自旋衬底晶片级集成半导体缓冲层空缺碳基材料绝缘半导体材料半导体制造量子计算金刚石生长自组装构建开口改进

[发明专利]具有同位素纯化材料的基于施主或受主的自旋QUBIT-CN201910123865.X在审
发明人： N.K.托马斯;J.S.克拉克;J.M.托雷斯;L.拉姆珀特;R.皮拉里塞蒂;H.C.乔治;K.辛格;J.M.罗伯茨;R.考迪洛;Z.R.约斯科维茨;D.J.米夏拉克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开的实施例描述基于施主或受主的自旋qubit装置和组件中的同位素纯化材料的使用。示例性自旋qubit装置组件可包括：半导体基质层，包括同位素纯化材料；掺杂物原子，位于半导体基质层中；和栅极，位于掺杂物原子附近。与非同位素纯化材料中的那些同位素的自然丰度相比，同位素纯化材料可包括更低原子百分比的具有非零核自旋的同位素。减少半导体基质层中的具有非零核自旋的同位素的存在可提高qubit相干性，并且因此提高自旋qubit装置和组件的性能。
同位素纯化材料自旋半导体基质掺杂物原子核自旋非零受主原子百分比装置组件自然丰度相干性与非

[发明专利]用于基于施主或受主的自旋量子比特的掺杂剂原子的晶片级集成-CN201910207599.9在审
发明人： L.拉姆珀特;J.S.克拉克;J.M.罗伯茨;R.皮拉里塞蒂;D.J.米夏拉克;K.辛格;R.考迪洛;H.C.乔治;Z.R.约斯科维茨;N.K.托马斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开的实施例描述了一种制造利用基于掺杂剂的自旋量子比特的自旋量子比特设备组件的方法，基于掺杂剂的自旋量子比特即为通过将施主或受主掺杂剂原子包括在半导体基质层中进行操作的自旋量子比特设备。该方法包括：首先在半导体基质层上面提供一对栅电极；以及然后在第一和第二栅电极之间提供窗结构，该窗结构是连续固体材料，其在第一和第二电极之间延伸且除开口外覆盖该半导体基质层，要通过该开口在该半导体基质层中注入掺杂剂原子。通过使用所定义的先栅极过程，该方法可以解决可扩缩性挑战并在期望位置中创建用于制造基于掺杂剂的自旋量子比特的确定性路径，从而促进基于掺杂剂的自旋量子比特设备的晶片级集成以用于在量子计算设备中使用。
自旋量子半导体基质掺杂剂窗结构栅电极掺杂剂原子晶片级集成受主掺杂剂注入掺杂剂第二电极可扩缩性连续固体量子计算期望位置设备组件栅极过程晶片级受主确定性制造开口延伸创建覆盖挑战

[发明专利]量子点器件中的鳍部应变-CN201910174279.8在审
发明人： R.皮拉利塞蒂;K.辛格;P.H.基斯;R.考迪洛;H.C.乔治;Z.R.约斯科维茨;N.K.托马斯;J.S.克拉克;R.科特尔亚;P.阿明;J.M.罗伯茨 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及量子点器件中的鳍部应变。本文公开了量子点器件以及相关的计算设备和方法。例如，在一些实施例中，一种量子点器件可以包括：基部；从基部延伸离开的鳍部，其中该鳍部包括量子阱层；在鳍部上方的栅极；以及在鳍部的侧表面上的材料；其中，鳍部具有在其侧表面之间的宽度，并且鳍部在该宽度的方向上是应变的。
鳍部量子点器件侧表面基部延伸计算设备量子阱层基部

[发明专利]量子点器件中的栅极布置-CN201910135892.9在审
发明人： N.K.托马斯;R.皮拉里塞蒂;K.辛格;H.C.乔治;J.M.罗伯茨;D.J.米夏拉克;R.考迪洛;Z.R.约斯科维茨;L.拉姆珀特;J.S.克拉克;W.拉赫马迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：在本文中公开了量子点器件，以及相关的计算设备和方法。例如，在一些实施例中，量子点器件可以包括：量子阱堆叠；在量子阱堆叠上面的一层栅极电介质；在该层栅极电介质上面的第一栅极金属和第二栅极金属；以及在第一栅极金属与第二栅极金属之间的栅极壁，其中该栅极壁在该层栅极电介质上面，并且该栅极壁包括第一介电材料和与第一介电材料不同的第二介电材料。
栅极金属量子点器件栅极电介质介电材料量子阱堆叠计算设备

[发明专利]用于在量子器件中形成金属栅的侧壁金属垫片-CN201910108465.1在审
发明人： H.C.乔治;Z.R.约斯科维茨;N.K.托马斯;L.拉姆珀特;J.S.克拉克;J.M.罗伯茨;R.皮拉里塞蒂;D.J.米夏拉克;K.辛格;R.考迪洛 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文公开的是用于在量子器件中提供金属栅的制造技术以及相关的量子器件。例如，在一些实施例中，制造量子器件的方法可以包括：在量子位器件层上方提供栅电介质，在栅电介质上方提供被称为“栅支撑元件”的非金属元件的图案，以及在栅支撑元件的侧壁上沉积栅金属以形成量子器件的多个栅。
量子器件栅电介质支撑元件金属栅非金属元件侧壁金属量子位器件层栅金属侧壁垫片沉积制造图案

[实用新型]壳体组件、传感器载体、外部壳体及传感器组件-CN201821792246.7有效
发明人： G.列德尔;K.辛格 -专利权人：泰连德国有限公司;泰科电子连接印度私有有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G01D11/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于传感器(55)的至少一个壳体组件(111)，特别是用于至少一个霍尔传感器，所述壳体组件包括外部壳体(81)和用于承载所述至少一个传感器(55)的传感器载体(1)，所述传感器载体(1)可接收在所述外部壳体(81)中。为了提供一种壳体组件(111)，其允许简单且成本有效的制造、并且将传感器载体(1)牢固地固定在所述外部壳体(81)中，根据本实用新型，使得所述传感器载体(1)在组装状态(A)下与所述外部壳体(81)摩擦接合。
传感器载体外部壳体壳体组件本实用新型传感器传感器组件霍尔传感器摩擦接合组装状态种壳承载制造

[发明专利]用于冷却剂填充帽的防拆装置-CN201310049223.2有效
发明人： K.辛格;M.J.蒙特勒尤;J.R.塔特罗 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01M10/50 文献下载
摘要：一种用于冷却剂填充帽的防拆装置。一种车辆，其包括本体部件、可充电能量存储系统(RESS)、牵引电动机、具有入口的冷却剂贮存器和支架。牵引电动机电连接到RESS且输送电动机扭矩用于推进车辆。一种覆盖入口的瓣帽。支架在瓣帽和本体部件之间延伸。支架限定了具有径向地向内突出的凸片的开口，所述凸片的每一个接合瓣帽的不同邻近瓣之间的帽的不同轴向侧壁，以防止瓣帽的旋转和除去。一种方法，其包括提供上述支架，在将帽安装到贮存器之后引导冷却剂贮存器的瓣帽通过开口，从而凸片接合瓣帽的不同邻近瓣之间的帽的不同轴向侧壁。
用于冷却剂填充拆装

1
共 15 条