专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]III/V半导体-CN201310350579.X无效
  • B.库纳特;J.科克;S.赖恩哈德;K.沃茨;W.斯托尔茨 - 马尔堡菲利普斯大学
  • 2006-01-26 - 2014-04-02 - H01S5/026
  • 本发明的发明名称为III/V半导体。本发明涉及包含基于掺杂Si或掺杂GaP的载体层和安排在所述载体层上并含有成分Gaxlny-NaAsbPcSbd的III/V半导体的单片集成半导体结构,其中x=70-100摩尔%,y=0-30摩尔%,a=0.5-15摩尔%,b=67.5-99.5摩尔%,c=0-32.0摩尔%,以及d=0-15摩尔%。根据本发明,x和y总是合计为100摩尔%,且a、b、c和d总是合计为100摩尔%。x和y的总和与a、b、c和d的总和之比基本上等于1:1。本发明还涉及用于产生所述半导体结构的方法,并涉及用其来产生被单片集成到基于Si或GaP技术的集成电路中的发光二极管和激光二极管,或调制器和检测器结构。
  • iii半导体

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