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[发明专利]用作有机电子基体材料的p-掺杂剂的主族金属络合物-CN201710695698.7有效
发明人： A.马尔滕伯格;M.A.彼得鲁基纳;G.施密德;J.H.威姆肯 -专利权人：西门子公司;欧司朗OLED有限责任公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用作有机电子元件基体材料的掺杂剂的第13‑16族的主族金属络合物，其包含至少一种如下式(I)的配体L：其中R1和R2可各自独立为氧、硫、硒、NH或NR4，R4选自包括烷基和芳基的组，并且可键合至R3；以及R3选自包含以下的组：烷基、长链烷基、烷氧基、长链烷氧基、环烷基、卤代烷基、芳基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、亚杂芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基，其中在合适的基中的一个或多个不相邻的CH2基团可独立地被‑O‑，‑S‑，‑NH‑，‑NR°‑，‑SiR°R°°‑，‑CO‑，‑COO‑，‑OCO‑，‑OCO‑O‑，‑SO2‑，‑S‑CO‑，‑CO‑S‑，‑CY1＝CY2或‑C≡C‑所取代，具体地，以这样一种方式氧和/或硫原子没有彼此直接键合，并且同样可任选地被芳基或优选含有1到30个碳原子的杂芳基所取代。
用作有机电子基体材料掺杂金属络合物

[发明专利]用作有机电子基体材料的p掺杂剂的主族金属络合物-CN201611116063.9有效
发明人： A.马尔滕伯格;M.A.彼得鲁基纳;G.施密德;J.H.威姆肯 -专利权人：西门子公司;欧司朗OLED有限责任公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C07F9/94 文献下载
摘要：本发明涉及一种用作有机电子元件基体材料的掺杂剂的第13‑16族的主族金属络合物，其包含至少一种如下式(I)的配体L：其中R¹和R²可各自独立为氧、硫、硒、NH或NR⁴，R⁴选自包括烷基和芳基的组，并且可键合至R³；以及R³选自包含以下的组：烷基、长链烷基、烷氧基、长链烷氧基、环烷基、卤代烷基、芳基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、亚杂芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基，其中在合适的基中的一个或多个不相邻的CH₂基团可独立地被‑O‑，‑S‑，‑NH‑，‑NR°‑，‑SiR°R°°‑，‑CO‑，‑COO‑，‑OCO‑，‑OCO‑O‑，‑SO₂‑，‑S‑CO‑，‑CO‑S‑，‑CY1＝CY2或‑C≡C‑所取代，具体地，以这样一种方式氧和/或硫原子没有彼此直接键合，并且同样可任选地被芳基或优选含有1到30个碳原子的杂芳基所取代。
用作有机电子基体材料掺杂金属络合物

[发明专利]用作有机电子器件的n型掺杂剂的氧化磷的盐-CN201380050032.6有效
发明人： G.施密德;A.卡尼茨;J.H.威姆肯 -专利权人：西门子公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电子元件，其包括基底、第一电极、第二电极以及设置在第一和第二电极之间的至少一个电子传导层，其特征在于，所述电子传导层包含磷氧化合物的盐类型衍生物作为n型掺杂剂。
用作有机电子器件掺杂氧化磷

[发明专利]用作有机电子基体材料的p-掺杂剂的金属络合物-CN201380037786.8有效
发明人： A.马尔滕伯格;G.施密德;J.H.威姆肯;S.皮克奎尔 -专利权人：西门子公司;欧司朗OLED有限责任公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用作电子元件基体材料的p型掺杂剂的双‑或多核的Vb/VIb/VIIb族或第5‑7族金属络合物，其包含至少一种如下式(a)的配体：其中R1和R2可各自独立为氧、硫、硒、NH或NR4，R4选自包括烷基和芳基的组，并且可键合至R3；以及R3选自包含以下的组：烷基、长链烷基、烷氧基、长链烷氧基、环烷基、卤代烷基、芳基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、亚杂芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基，其中在合适的基中的一个或多个不相邻的CH2基团可独立地被‑O‑，‑S‑，‑NH‑，‑NR°‑，‑SiR°R°°‑，‑CO‑，‑COO‑，‑OCO‑，‑OCO‑O‑，‑SO2‑，‑S‑CO‑，‑CO‑S‑，‑CY1＝CY2或‑C≡C‑所取代，具体地，以这样一种方式氧和/或硫原子没有彼此直接键合，并且同样可任选地被芳基或优选含有1到30个碳原子的杂芳基所取代。
用作有机电子基体材料掺杂金属络合物

[发明专利]用作有机电子器件的n型掺杂剂的环戊二烯的盐-CN201380049961.5有效
发明人： G.施密德;J.H.威姆肯 -专利权人：西门子公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电子传输层，其具有用于增加所述有机层的n型导电性的至少一种掺杂剂，其特征在于，所述掺杂剂选自根据式1的环戊二烯化合物的盐类所组成的组，其中取代基R1至R2独立选自包括以下的组‑H、‑D、卤素、‑CN、‑NO2、‑OH、胺、醚、硫醚、烷基、环烷基、丙烯酸、乙烯基、烯丙基、芳烃、稠合芳烃和杂芳烃。
用作有机电子器件掺杂环戊二烯

[发明专利]用作有机电子基体材料的p‑掺杂剂的主族金属络合物-CN201380037752.9有效
发明人： A.马尔滕伯格;M.A.彼得鲁基纳;G.施密德;J.H.威姆肯 -专利权人：西门子公司;欧司朗OLED有限责任公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用作有机电子元件基体材料的掺杂剂的第13‑16族的主族金属络合物，其包含至少一种如下式(I)的配体L其中R1和R2可各自独立为氧、硫、硒、NH或NR4，R4选自包括烷基和芳基的组，并且可键合至R3；以及R3选自包含以下的组烷基、长链烷基、烷氧基、长链烷氧基、环烷基、卤代烷基、芳基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、亚杂芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基，其中在合适的基中的一个或多个不相邻的CH2基团可独立地被‑O‑，‑S‑，‑NH‑，‑NR°‑，‑SiR°R°°‑，‑CO‑，‑COO‑，‑OCO‑，‑OCO‑O‑，‑SO2‑，‑S‑CO‑，‑CO‑S‑，‑CY1＝CY2或‑C≡C‑所取代，具体地，以这样一种方式氧和/或硫原子没有彼此直接键合，并且同样可任选地被芳基或优选含有1到30个碳原子的杂芳基所取代。
用作有机电子基体材料掺杂金属络合物

[发明专利]具有掺杂空穴导体层的有机半导体元件-CN201280006603.1有效
发明人： G.施密德;J.H.威姆肯;R.凯勒曼;A.马尔坦伯格 -专利权人：西门子公司
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：具有空穴导体层(20)的有机半导体元件(10)可以通过依据本发明的具有超酸盐的p‑掺杂在其电荷传输和光学性质上得到显著改善。除了在非常低的掺杂浓度下提高比传导率外，新的掺杂基本上对于人眼来说并不对层的颜色效果造成任何负面改变。空穴导体层的吸收能力在可见波长范围内因为具有超酸盐的p‑掺杂而没有升高。还可以从溶液以及气相中沉积出来。
具有掺杂空穴导体有机半导体元件

[发明专利]包含具有至少两个偶联卡宾基团的有机超给体的有机元件及其作为n-型掺杂剂的用途-CN201380024020.6在审
发明人： G.施密德;A.卡尼茨;S.佩克奎尔;J.H.威姆肯 -专利权人：西门子公司
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电子传输层的n-型掺杂剂，涉及所述n-型掺杂剂用于构造有机电子元件、晶体管、有机发光二极管、发光电化学电池、有机太阳能电池、光电二极管和包含所述n-型掺杂剂的电子元件的用途。
包含具有至少两个偶联卡宾基团有机元件及其作为掺杂用途

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