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[发明专利]用于光纤槽的拐角结构-CN202110220377.8有效
发明人：尼古拉斯·A·波洛莫夫;J·K·丘;M·A·拉比;A·D·斯特里克 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及用于光纤槽的拐角结构，揭示一种用于光纤槽的结构以及形成用于光纤槽的结构的方法。光子芯片包括基板和位于基板上方的互连结构。光子芯片具有第一外角、第二外角和从该第一外角延伸至该第二外角的侧边。基板包括沿着该第一外角和该第二外角之间的该侧边定位的凹槽。该凹槽设置成在凹槽拐角处与该侧边相交，该互连结构包括相邻于该第一凹槽拐角的金属结构。该金属结构相对于该光子芯片的该侧边在该互连结构中以对角方式延伸。
用于光纤拐角结构

[发明专利]虚拟金属结构及形成虚拟金属结构的方法-CN201510673273.7有效
发明人： J·K·丘;高山 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：揭示用于在半导体晶圆上的晶粒之间形成虚拟金属结构的方法及其产生的装置。具体实施例可包括形成从半导体晶圆的基材延展至介于多个晶粒区之间的该半导体晶圆的顶端金属互连层的金属互连层，所述金属互连层的各个皆包括多个虚拟垂直互连进接口(VIA)及多条虚拟金属线，该多条虚拟金属线侧向连接各金属互连层内的该多个虚拟VIA，并且第一金属互连层内的多个虚拟VIA垂直连接该第一金属互连层内的多条虚拟金属线至第二金属互连层内的多条虚拟金属线，并且该第二金属互连层低于该第一金属互连层。
虚拟金属结构形成方法