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[发明专利]用于产生铝离子的方法及系统-CN202180066316.9在审
发明人： B·L·尚贝尔;J·D·斯威尼;J·R·德普雷斯;唐瀛;O·比尔 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-10-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明描述离子植入装置、系统及方法，且特定来说，本发明描述一种可用于产生铝离子束的离子源。
用于产生离子方法系统

[发明专利]基于吸附剂的机械调节式气体存储及输送容器-CN201980060167.8有效
发明人： J·R·德普雷斯;J·D·斯威尼;E·A·斯特姆 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： F17C11/00 文献下载
摘要：本发明描述用于从其中试剂气体与固体吸附剂介质保持吸附关系的容器分配所述试剂气体的存储及分配容器及相关系统及方法，所述试剂气体经容纳在超大气压下且所述固体吸附剂介质包括金属有机骨架材料。
基于吸附剂机械调节气体存储输送容器

[发明专利]使用镓的离子植入工艺及设备-CN202210352677.6在审
发明人： J·D·斯威尼;J·R·德普雷斯;唐瀛;S·N·叶达弗;E·E·约内斯;O·比尔 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本申请实施例涉及使用镓的离子植入工艺及设备。本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
使用离子植入工艺设备

[发明专利]使用镓的离子植入工艺及设备-CN201980057575.8有效
发明人： J·D·斯威尼;J·R·德普雷斯;唐瀛;S·N·叶达弗;E·E·约内斯;O·比尔 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01J27/20 文献下载
摘要：本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
使用离子植入工艺设备

[发明专利]利用增强源技术进行磷或砷离子植入-CN201910208219.3有效
发明人： O·比尔;S·N·叶德弗;J·D·斯威尼;B·L·钱伯斯;唐瀛 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
利用增强技术进行离子植入

[发明专利]气柜-CN201680035844.7有效
发明人： J·R·德普雷斯;B·L·钱伯斯;J·D·斯威尼;R·S·雷;S·E·毕夏普 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明描述用于将气体递送到气体利用处理工具的气体供应系统及方法，所述气体利用处理工具例如是用于制造半导体产品、平板显示器、太阳能面板等的气体利用工具。所述气体供应系统可包括其中布置有基于吸附剂的气体供应罐及/或内部压力调节式气体供应罐的气柜，且描述可安置于所述气柜中或以独立方式操作的气体混合歧管。在一个方面中，描述气体供应系统，其中在施配操作的压控终止之后，为了进行施配操作以实现在此终止之后所述罐中剩余的气体的利用，处理易于在涉及气体供应压力的减小时冷却的罐。
气柜

[发明专利]离子注入系统及方法-CN201610048444.1有效
发明人： E·E·琼斯;S·N·叶德弗;唐瀛;B·L·钱伯斯;R·凯姆;J·D·斯威尼;O·拜尔;邹鹏 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：一种离子注入系统及方法，提供掺杂气体馈送线路中掺杂气体的冷却，以对抗由于电弧腔室生成的热量而造成掺杂气体的加热与分解,例如使用诸如B2F4的硼源材料，或其它BF3的替代物。在此描述了各种电弧腔室热管理的设置，以及等离子体特性的改变、特定流动设置、清洗处理过程、功率管理、平衡偏移、提取光学器件的最优化、流动通道中的沉积物的探测，以及源寿命的最优化，以实现离子注入系统的有效操作。
离子注入系统方法

[发明专利]吸附剂与流体供应包装及包括其的设备-CN201680073124.X有效
发明人： L·H·杜波依斯;J·D·卡拉瑟斯;M·A·彼特鲁斯卡;E·A·斯特姆;S·M·威尔逊;S·M·卢尔寇特;B·C·亨德里克斯;J·D·斯威尼;M·J·沃德珍斯奇;O·比尔;唐瀛;J·R·德斯普雷斯;M·T·马洛;C·斯坎内尔;D·埃尔策;K·默西 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明描述不同类型及形式的吸附剂，如有用地用于气体供应包装中，所述气体供应包装包含盛放此吸附剂以将吸附气体存储于其上的气体存储及施配容器，及固定于所述容器以在其施配条件下从所述气体供应包装排放所述吸附气体的气体施配组合件。同样描述对应气体供应包装，及处理所述吸附剂，及制造所述气体供应包装的各种方法。
吸附剂流体供应包装包括设备

[发明专利]利用非钨材料的氟离子植入系统和其使用方法-CN201980082496.2在审
发明人：唐瀛;S·N·叶达弗;J·R·德普雷斯;J·D·斯威尼 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明描述用于氟离子植入的系统和方法，其包括用以产生供植入到个体中的氟离子物质的氟气体源和包括一或多种非钨材料(石墨、碳化物、氟化物、氮化物、氧化物、陶瓷)的电弧室。所述系统在系统操作期间最小化氟化钨的形成，由此延长源寿命且促进经改良的系统性能。此外，所述系统可包括氢和/或氢化物气体源，且这些气体可与氟气一起使用以改良源寿命和/或束电流。
利用材料离子植入系统使用方法

[发明专利]于氮离子植入中改善离子源效能的氟化组合物-CN201780028783.6有效
发明人： B·L·尚贝尔;B·T·天;J·D·斯威尼;唐瀛;O·比尔;S·E·毕晓普;S·N·叶达弗 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明描述用于实施氮离子植入的组合物、方法和设备，其在所述氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作，例如植入砷和/或磷离子物种时避免发生严重故障。所述氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统的离子源室或在所述离子源室中形成的氮离子植入组合物实施，其中所述氮离子植入组合物包括氮(N2)掺杂剂气体和故障抑制气体，所述故障抑制气体包括选自由以下组成的群组中的一或多种：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4和CxFy(x≥1，y≥1)通式的其它氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4和O3，以及任选地含氢气体，例如包括选自由以下组成的群组的一或多种的含氢气体：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4和CxHy(x≥1，y≥1)通式的其它烃和GeH4。
离子植入改善离子源效能氟化组合

[发明专利]用于离子植入系统的四氟化锗与氢气的混合物-CN201980031094.X在审
发明人： S·N·叶达弗;O·比尔;唐瀛;J·R·德普雷斯;J·D·斯威尼 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本公开涉及经配置以将四氟化锗(GeF4)与氢(H2)气体的混合物递送到离子植入装置的方法和总成，因此H2以所述气体混合物的25％到67％(体积)范围内的量存在，或GeF4和H2以3:1到33:67范围内的体积比(GeF4:H2)存在。所述H2气体在混合物中的使用量或相对于所述GeF4气体的使用量防止阴极材料挥发，由此改良所述离子植入装置的性能和使用寿命。根据本公开的气体混合物也在离子植入程序期间产生显著的Ge+电流增益和W+峰减小。
用于离子植入系统氟化氢气混合物

[发明专利]供等离子体浸没枪(PFG)操作的使用含氟和惰性气体的方法和组件-CN201880081071.5在审
发明人： J·R·德普雷;J·D·斯威尼;S·N·耶德卫;唐瀛 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明描述一种用于将包括惰性气体和含氟气体的气体递送至等离子体浸没枪的气体供应组件，其中所述组件被配置成将体积不超过所述含氟气体和所述惰性气体的总体积的10％的所述含氟气体递送至所述浸没枪。所述含氟气体可自所述等离子体浸没枪中的材料沉积物产生挥发性反应产物气体，且从而引起所述等离子体浸没枪中等离子体生成细丝的再金属化。与所述气体量组合，所述组件和所述方法可使用气体流动速率以使清理效果优化且减少使用期间细丝材料自所述等离子体浸没枪的损失。
等离子体浸没 pfg 操作使用惰性气体方法组件

[发明专利]压力调节器和流体供给封装包-CN201810283916.0有效
发明人： J·R·德普雷斯;J·D·斯威尼;E·E·琼斯;M·B·多纳塔奇;C·派迪;E·A·斯特姆;B·L·钱伯斯;G·S·鲍姆加特 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2013-09-20 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： F16K17/32 文献下载
摘要：本发明涉及压力调节器和流体供给封装包。一种流体供给封装包，包括：一个压力调节流体贮存和分配容器，一个阀头，适于分配来自该容器的流体，以及一个抗压力尖峰组件，适于对抗在流体分配的初期来自所述阀头的流体的流动中的压力尖峰。
流体供给封装包压力调节器流体阀头压力调节流体尖峰分配容器流体分配压力尖峰抗压力贮存对抗分配流动

[发明专利]由固体材料制备化合物或其中间体以及使用该化合物和中间体的设备和方法-CN201610643193.1有效
发明人： O·比尔;E·E·琼斯;C·派迪;J·D·斯威尼 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2011-08-28 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： B01J8/02 文献下载
摘要：描述了一种设备，包括反应区，用于反应物气体与反应性固体在有效形成中间产物的条件下接触，和开口，用于使气体试剂未反应部分和中间产物离开反应区。本设备可有利地用于形成作为中间产物与反应物气体的反应产物的最终产物。反应物气体与反应性固体的反应可在第一反应区进行，而反应物气体与中间产物的反应在第二反应区进行。在具体实施中，反应物气体与中间产物的反应是可逆的，且反应物气体和中间产物以受控速率或以受控方式流入第二反应区，从而抑制形成反应性固体的逆反应。
固体材料制备化合物中间体以及使用设备方法

[发明专利]离子植入工艺及设备-CN201910160534.3在审
发明人： O·比尔;J·D·斯威尼 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及离子植入工艺及设备。本发明涉及一种离子源设备，其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括：离子源腔室(12)；及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说，所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14)，其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。
离子源腔室掺杂剂源掺杂剂离子植入工艺离子源设备消耗反应性气体材料形成气态形式气体馈送内部层蒸气压导管物种关联释放

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