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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于密封的电子设备的馈通连接器-CN201510341901.1有效
发明人： T·希拉诺;V·阿亚诺-维蒂凯特 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01R13/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于密封的电子设备的馈通连接器。本公开涉及一种装置，其包括接合至壳体并延伸穿过壳体中馈通孔的电连接器。电连接器具有电绝缘基部，其具有多层电绝缘材料，并带有在所述多层之间延伸的电迹线。电绝缘基部还具有布置在内部腔体内的第一部、布置在内部腔体外的第二部、以及布置在向内定位部与向外定位部之间的密封部。电连接器还包括布置在电绝缘基部的向外定位部上的第一组电引线以及布置在电绝缘基部材料的向内定位部上的第二组电引线。电引线中的每一个电接合至相应的引线。
用于密封电子设备通连

[发明专利]实现用于瓦状磁体记录的大块随机写入热备份固态驱动器-CN201310164988.0有效
发明人： Z·Z·班蒂克;C·古约特;原山智弘;龟井仁;中村高木;T·蔡 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供一种方法和存储系统，用于于在廉价磁盘冗余阵列(RAID)中的瓦状磁体记录(SMR)驱动器实现对持续的大块随机写入性能机制。在RAID中，提供SMR驱动器屠户固态驱动器(SSD)。该SDD用于热备份模式，当对于在RAID中的SMR驱动器识别大块随机写入事件时，该模式被激活。在热备份模式下，该SDD为所识别的SMR驱动器暂时接收新引入的写入。接着该被识别的SMR驱动器从SSD更新以恢复所识别的SMR驱动器的状态，并且仅采用在RAID中的SMR驱动器继续标准写入操作。
实现用于磁体记录大块随机写入备份固态驱动器

[发明专利]用于热辅助记录的通道‑激光源‑脉冲系统架构-CN201210169428.X有效
发明人： J.康特雷拉斯;W.汉森;B.C.斯蒂普;R.扎凯 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明涉及生成驱动用在热辅助记录中的激光器的激光器信号的方法和装置。硬盘驱动器的通道生成激光器信号的高频分量，例如，周期波或一系列脉冲，并且使激光器信号的相位与控制硬盘驱动器的磁盘内的数据位的磁化的相应写入数据信号同步。该通道可以经由通道互连线与读/写集成电路连接。该读/写电路可以包括补偿任何相移的第二相位控制器、和将发送高频信号与DC偏置组合的加法电路。并且，该读/写电路可以包括根据像温度那样的硬盘驱动器的环境参数调整DC偏置的反馈环路。
用于辅助记录通道激光脉冲系统架构

[发明专利]用于接收电子部件的底板-CN201510119979.9有效
发明人： M.贝尔;黄立独;T.希拉诺;J.H.欧阳;J.威尔克 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01R12/77 文献下载
摘要：本发明提供了配置为接收电子部件的底板。在一个示例中底板包括基板，包括至少部分地柔性的材料；多个底板迹线，形成为基板的部分；至少一个连接器岛，形成在基板中，该至少一个连接器岛位于基板中的开口中并被配置为接收至少一个配合的电子部件；以及一个或多个弹簧元件，桥接在该至少一个连接器岛和基板之间，该多个底板迹线的迹线在该一个或多个弹簧元件上延伸到该至少一个连接器岛，该一个或多个弹簧元件允许该至少一个连接器岛相对于基板弯曲并吸收振动。
用于接收电子部件底板

[发明专利]用于接收电子部件的成形的底板及形成底板的方法-CN201510120022.6有效
发明人：黄立独;T.希拉诺;J.H.欧阳;J.威尔克 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G11B33/08 文献下载
摘要：本发明提供了配置为接收电子部件的底板。在一个示例中底板包括基本上平坦的基板，包括至少部分柔性的材料并形成为非矩形形状；一连串交替的连接器岛，沿两个基本上平行的轴形成，其中每个连接器岛能够独立于其它连接器岛移动；多个底板迹线，从该一连串交替的连接器岛延伸到基板的底板连接器区域，底板迹线的数目越靠近底板连接器区域越大；以及一个或多个弹簧元件，桥接在特定的连接器岛与基板之间，该一个或多个弹簧元件允许该特定的连接器岛相对于基板弯曲并吸收振动。
用于接收电子部件成形底板形成方法

[发明专利]对共享存储资源的安全访问-CN201380026998.6有效
发明人： K·D·许恩;R·S·伊斯拉姆;B·普拉瓦尔提 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种方法可包括在第一网络上将第一存储信息存储在计算机存储系统的存储装置中。计算机存储系统可将第一存储信息转换成第一虚拟存储实例，在没有与第一网络和存储装置通信的第二网络上提供对第一虚拟存储实例的访问，并通过第二网络启用第一虚拟存储实例的修改，以创建第一修改后虚拟存储实例。计算机存储系统可基于第一修改后存储实例，将第一修改后存储实例转换成第一修改后存储信息，并在存储装置上存储第一修改后存储信息。
共享存储资源安全访问

[发明专利]底部钉扎SOT‑MRAM位结构和制造方法-CN201610939473.7在审
发明人： P.M.布拉干萨;H-W.曾;L.万 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括多个引线、多个存储器单元以及多个晶体管。引线可以由具有大自旋‑轨道耦合强度和高电阻率的材料制成。每个单独的引线可包括多个第一部分和与第一部分区分开的多个第二部分。第二部分的电阻率小于第一部分的电阻率，所以引线的总电阻率减小，导致改进的功率效率和信噪比。
底部 sot mram 结构制造方法

[发明专利]具有堆叠中选择器的顶部钉扎SOT‑MRAM结构-CN201610921767.7在审
发明人： P.M.布拉干萨;L.万 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及具有堆叠中选择器的顶部固定式自旋‑轨道转矩磁阻随机存取存储器(SOT‑MRAM)结构。本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM单元和芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括存储器单元阵列，其具有多个第一引线、多个第二引线和多个存储器单元。多个存储器单元中的每个存储器单元包括MTJ和选择器元件。这些SOT‑MRAM单元消除了使大电流通过MTJ的阻挡层的需求，选择性元件消除了通常在不扰乱相邻存储器单元的情况下选择单个存储器单元所需的大晶体管。
具有堆叠选择器顶部 sot mram 结构

[发明专利]具有聚焦的电场的电阻式随机存取存储器单元-CN201611272921.9在审
发明人： D·贝多;J·R·奇尔德里斯;O·莫森茨;J·C·里德;D·斯图尔特 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本文公开的实施例总体上涉及用于将电场聚焦在单元中心处的电阻式随机存取存储器(ReRAM)装置单元的电极结构及其制造方法。因此，可将非均匀金属电极沉积在ReRAM装置上，其随后在单元制造期间暴露于氧化或氮化工艺。电极结构可以是圆锥形或金字塔形，并且包括包含第一材料和第二材料的至少一个层，其中第一材料和第二材料的浓度基于电极内的位置而变化。形成金属电极轮廓，其有利于使单元中心作为具有最大电场的位置。因此，非易失性存储器组件的尺寸缩放和可靠性均增加。
具有聚焦电场电阻随机存取存储器单元

[发明专利]具有纳米压印的图案的存储器装置及其制造方法-CN201610865921.3在审
发明人： D.R.舍帕德 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及一种存储器装置及其制造方法，所述存储器装置具有互联于常规加工的电路的纳米压印的图案。存储器装置包含多个导电迹线、具有多个导电垫的基板、以及多个导电柱。每个导电垫被尺寸化为考虑到纳米压印工艺中固有的对准误差。每个导电柱联接在导电迹线与导电垫之间，所述导电迹线与导电垫允许纳米压印光刻法的非常微小的特征构造与常规的晶片的更大特征构造的互联。
具有纳米压印图案存储器装置及其制造方法

[发明专利]用于在存储器管理中去重的参考块至参考集的聚合-CN201611273004.2在审
发明人： A·辛盖;S·曼钱达;A·纳拉辛哈;V·卡拉姆切蒂 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种系统包括处理器和存储指令的存储器，当执行指令时使系统从数据存储中检索参考数据块，基于标准将参考数据块聚合为第一集，基于包括该参考数据块的第一集的一部分来生成参考数据集，并且在该数据存储中存储该参考数据集。
用于存储器管理中去重参考聚合

[发明专利]在迭瓦式盘驱动器中实施增强的碎片流处理-CN201210499267.0有效
发明人： D.R.霍尔;J.D.科克 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供了一种用于对包括迭瓦式盘驱动器（SDD）的永久介质实施碎片流处理的方法和存储系统。为各盘区域定义用于记录流命令的多个异常区域。每个异常区域保持在包括空闲异常区域、活动异常区域、恢复异常区域和已使用异常区域中的一个状态中。主机向驱动器发出TRIM命令以指示被删除内容。
迭瓦式盘驱动器实施增强碎片处理

[发明专利]闪速存储器设备的磨损管理-CN201610805253.5在审
发明人： M.S.罗思伯格 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：一种用于管理闪速存储系统的机器实现的方法，包括接收用于数据操作的命令。该方法包括确定该闪速存储系统中多个闪速存储器设备中的每一个闪速存储器设备的预计寿命值，其中，该多个闪速存储器设备中的至少一个闪速存储器设备的该预计寿命值高于该多个闪速存储器设备中的至少另一个闪速存储器设备的该预计寿命值。该方法还包括基于该多个闪速存储器设备的各个预计寿命值，选择该多个该闪速存储器设备之一上的闪速存储器块用于该数据操作。
存储器设备磨损管理

[发明专利]具有利用动态写入电流控制的通道和预放大器的盘驱动器-CN201610576043.3在审
发明人： J.孔特雷拉斯;S.Y.加尔松;W.M.汉森;A.塔拉托林 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G11B5/55 文献下载
摘要：描述具有取决于写入数据信号图案而动态地调整写入驱动器的信号波形的通道系统和写入驱动器预放大架构的盘驱动器。所述波形控制信号生成于所述通道中，并且发送到所述写入驱动器预放大器。本发明实施例提供使用幅度等级调制(AML)信号的离散n等级过冲幅度控制。一个实施例实现前瞻策略过冲幅度控制，其中，用于每个转变的过冲幅度仅取决于数据流中的随后(跟随)比特，而不取决于任何先前所记录的数据。
具有利用动态写入电流控制通道放大器驱动器

[发明专利]用于MAMR和先进磁记录应用的钡六角铁氧体技术-CN201610554707.6在审
发明人： Z.陈;F.杨 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G11B5/64 文献下载
摘要：本文公开的实施例总体上涉及一种用于MAMR的磁记录介质。所述磁盘装置可以包含基板和磁层，所述磁层包含钡基六角铁氧体。所述磁记录介质还可以可选地包含软底层、籽晶层，和/或上覆层。
用于 mamr 先进记录应用六角铁氧体技术

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