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[发明专利]用于闪存存储器装置的混合电荷泵以及调节手段和方法-CN201811323753.0有效
发明人： H.V.特兰;A.利;T.伍;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了用于存储器装置的混合电荷泵和控制电路。
用于闪存存储器装置混合电荷以及调节手段方法

[发明专利]用于先进纳米闪速存储器装置的高速感测技术-CN201810146062.1有效
发明人： H.V.特兰;A.利;T.伍;H.Q.阮;V.蒂瓦里 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于先进纳米闪速存储器装置的高速感测技术。本发明公开了用于先进纳米闪速存储器装置的改进的感测电路和改进的位线布局。
用于先进纳米存储器装置高速技术

[发明专利]用于嵌入式闪存装置的改进的通电次序-CN201910151849.1有效
发明人： H.V.陈;T.武;A.李;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-05-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了用于嵌入式闪存装置内的改进的通电次序的系统和方法。
用于嵌入式闪存装置改进通电次序

[发明专利]用于闪存存储器系统的低功率操作-CN202210427606.8在审
发明人： H.V.特兰;A.莱伊;T.吴;H.Q.阮;V.T.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于闪存存储器系统中的低功率操作的电路和方法。在选择解码电路路径的所公开实施方案中，在省电或关闭模式期间使用上拉电路和下拉电路在某些输出节点处保存值，从而允许主电源关闭，同时仍然保持所述值。
用于闪存存储器系统功率操作

[发明专利]用于闪存存储器系统的低功率操作-CN201680031307.5有效
发明人： H.V.特兰;A.莱伊;T.吴;H.Q.阮;V.T.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G11C16/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于闪存存储器系统中的低功率操作的电路和方法。在选择解码电路路径的所公开实施方案中，在省电或关闭模式期间使用上拉电路和下拉电路在某些输出节点处保存值，从而允许主电源关闭，同时仍然保持所述值。
用于闪存存储器系统功率操作

[发明专利]先进纳米闪速存储器的动态编程技术-CN201810246242.7有效
发明人： H.V.特兰;A.利;T.伍;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及先进纳米闪速存储器的动态编程技术，公开了一种用于对先进纳米闪速存储器单元编程的改进的方法和设备，其中一组镜像电流源（110、111、112、113）中的每个电流源经由多组开关（120‑123、130‑133、140‑143、150‑153）轮流连接到对应的一组位线（160、170、180、190）中的一根位线。所述改进的方法和设备向每根位线提供按时间平均的编程电流，并且减小了编程电流变化，所述编程电流变化归因于，例如，在制造形成所述镜像电流源(110‑113)的所述晶体管时的工艺变化。
先进纳米存储器动态编程技术

[发明专利]全耗尽型绝缘体上硅闪存存储器设计-CN201680059275.X有效
发明人： H.V.陈;A.李;T.武;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种闪存存储器系统，其中一个或多个电路区块利用全耗尽型绝缘体上硅晶体管设计来使泄漏最小化。
耗尽绝缘体闪存存储器设计

[发明专利]虚拟接地非易失性存储器阵列-CN201580061556.4有效
发明人： H.V.陈;H.Q.阮;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种存储器装置具有存储器单元对，该存储器单元对均具有单个连续沟道区、沟道区的第一部分和第二部分上方的第一浮栅和第二浮栅、沟道区的介于沟道区的第一部分和第二部分之间的第三部分上方的擦除栅以及在第一浮栅和第二浮栅上方的第一控制栅和第二控制栅。对于存储器单元对中的每一者，第一区电连接到同一有源区中的相邻存储器单元对的第二区，并且第二区电连接到同一有源区中的相邻存储器单元对的第一区。
虚拟接地非易失性存储器阵列

[发明专利]使用互补电压电源的分裂栅闪存系统-CN201580074175.X有效
发明人： H.V.陈;A.刘;T.于;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括第一导电类型的半导体衬底的非易失性存储器装置。非易失性存储器单元阵列位于所述半导体衬底中并按多个行和列布置。每个存储器单元包括位于所述半导体衬底的表面上的第二导电类型的第一区，以及位于所述半导体衬底的所述表面上的所述第二导电类型的第二区。沟道区位于所述第一区和所述第二区之间。字线覆盖在沟道区的第一部分上面并与所述沟道区的第一部分绝缘，并且与第一区相邻且与第一区几乎不或完全不重叠。浮栅覆盖在沟道区的第二部分上面，与第一部分相邻，并与沟道区的第二部分绝缘且与第二区相邻。耦合栅覆盖在浮栅上面。位线连接至第一区。在编程、读取或擦除操作期间，可将负电压施加至选择的或未选择的存储器单元的所述字线和/或所述耦合栅。
使用互补电压电源分裂闪存系统

[发明专利]非易失性分裂栅存储器装置及其操作方法-CN201580053591.1有效
发明人： H.V.陈;H.Q.阮;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有第一导电类型的半导体衬底的非易失性存储器装置。非易失性存储器单元的阵列在所述半导体衬底中以多个行和列布置。每个存储器单元包括位于所述半导体衬底表面上的第二导电类型的第一区，以及位于所述半导体衬底表面上的所述第二导电类型的第二区。沟道区位于所述第一区和所述第二区之间。字线覆盖在所述沟道区的第一部分上面并与其绝缘，并且与所述第一区相邻且几乎不与或完全不与所述第一区重叠。浮栅覆盖在沟道区的第二部分上面，与第一部分相邻并与其绝缘，且与第二区相邻。耦合栅覆盖在浮栅上面。位线连接至第一区。负电荷泵电路生成第一负电压。控制电路接收命令信号并响应于此生成多个控制信号，随后将第一负电压施加至未选择存储器单元的字线。在编程、读取或擦除操作期间，可将负电压施加至所述未选择存储器单元的所述字线。
非易失性分裂存储器装置及其操作方法

[发明专利]具有功率节省的混合电压非易失性存储器集成电路-CN201610844224.X有效
发明人： H.V.陈;A.李;T.武;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种集成电路管芯具有用于接收第一电压的第一管芯焊盘和用于接收第二电压的第二管芯焊盘。第二电压小于第一电压。在第一电压下可操作的第一电路在集成电路管芯中。在第二电压下可操作的第二电路在集成电路管芯中并被连接到第二管芯焊盘。检测来自第二管芯焊盘的电流流动的电路在集成电路管芯中。在第一管芯焊盘与第一电路之间插入的开关响应于由用于检测电流流动的电路所检测的电流流动而将第一管芯焊盘从第一电路断开。
具有功率节省混合电压非易失性存储器集成电路

[发明专利]用于抑制对闪存存储器系统中的未被选择的位线进行编程的方法和设备-CN201680019866.4有效
发明人： H.V.陈;A.李;T.于;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了用于抑制对耦接至未被选择的位线的存储器单元的编程同时对耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元进行编程的各种实施方案。还公开了用于在耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元的编程期间补偿泄漏电流的各种实施方案。
用于抑制闪存存储器系统中的选择进行编程方法设备

[发明专利]具有可配置引脚的三维NOR闪存存储器系统-CN201480065987.3有效
发明人： H.V.特兰;H.Q.阮;M.雷滕 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维NOR闪存存储器系统。所述系统任选地包括可配置的标准引脚、可配置的输出缓冲器和可配置的输入缓冲器。
具有配置引脚三维 nor 闪存存储器系统

[发明专利]可配置为提供只读存储器功能的闪存存储器装置-CN201680010715.2有效
发明人： H.V.陈;A.李;T.邬;H.Q.阮 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：本发明公开的实施方案包括一种可被配置为作为只读存储器装置操作的闪存存储器装置。在一些实施方案中，所述闪存存储器装置可被配置为闪存存储器部分和只读存储器部分。
配置提供只读存储器功能闪存存储器装置

[发明专利]具有EEPROM功能的闪存系统-CN201580042700.X有效
发明人： H.V.特兰;H.Q.阮;N.杜;V.蒂瓦里 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：本发明涉及具有EEPROM功能的闪存装置。所述闪存装置是字节可擦除的和位可编程的。
具有 eeprom 功能闪存系统

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