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- [发明专利]有机空穴传输体的p掺杂交联-CN201580029805.1有效
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G.施密德;A.马尔滕伯杰;S.佩克尔
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西门子公司
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2015-05-28
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2019-04-05
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H01L51/05
- 本发明涉及用于制备空穴传输电层的方法，其中使官能化的有机基体化合物与至少一个交联剂在衬底上发生反应生成高分子化合物，其中所述官能化的有机基体化合物对应于下式1：
![]() 其中，L为键或选自包括取代或未取代的、饱和或不饱和的C1‑C50烷基‑、芳基‑、聚乙二醇‑、聚乙二胺‑、聚酯‑、聚氨酯‑、聚亚乙烯基苯基‑链或其混合物的组；E1、E2可彼此独立地为氧、硫、硒、NH或NE3，其中E3选自包括取代或未取代的烷基或芳基的组，其中E3可与R连接；R选自包括H，D，C1‑C10烷基‑或芳基‑硅基酯，氟化或未氟化、支化或未支化的C1‑C10烷基、芳基或杂芳基的组，RHTL为有机空穴传输体的骨架，并且所述交联剂包含来自第13‑15族的至少一个金属原子和至少一个有机配体。
- 有机空穴传输掺杂交联
- [发明专利]用作有机电子基体材料的p-掺杂剂的金属络合物-CN201380037786.8有效
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A.马尔滕伯格;G.施密德;J.H.威姆肯;S.皮克奎尔
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西门子公司;欧司朗OLED有限责任公司
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2013-05-14
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2018-07-31
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H01L51/00
- 本发明涉及一种用作电子元件基体材料的p型掺杂剂的双‑或多核的Vb/VIb/VIIb族或第5‑7族金属络合物，其包含至少一种如下式(a)的配体：
![]() 其中R1和R2可各自独立为氧、硫、硒、NH或NR4，R4选自包括烷基和芳基的组，并且可键合至R3；以及R3选自包含以下的组：烷基、长链烷基、烷氧基、长链烷氧基、环烷基、卤代烷基、芳基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、亚杂芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基，其中在合适的基中的一个或多个不相邻的CH2基团可独立地被‑O‑，‑S‑，‑NH‑，‑NR°‑，‑SiR°R°°‑，‑CO‑，‑COO‑，‑OCO‑，‑OCO‑O‑，‑SO2‑，‑S‑CO‑，‑CO‑S‑，‑CY1＝CY2或‑C≡C‑所取代，具体地，以这样一种方式氧和/或硫原子没有彼此直接键合，并且同样可任选地被芳基或优选含有1到30个碳原子的杂芳基所取代。
- 用作有机电子基体材料掺杂金属络合物
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