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[发明专利]在食物产品的外侧面施加颗粒状物料的方法和设备-CN201910731984.3有效
发明人： G·卡塔拉诺;M·莫洛 -专利权人：索雷马泰克股份有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： A23P20/12 文献下载
摘要：本文描述了一种在食物产品(P)的外侧面上施加颗粒状物料的方法。该方法包括以下步骤：提供具有模具腔体(S；S')的模具(2；102)，所述模具腔体至少部分地由至少一个活动壁(22B；106)界定；通过将所述外侧面(p1)设置在面向所述活动壁(22)并与所述活动壁相距一定距离的位置中，而将产品(P)定位在所述模具腔体中；在包括在所述活动壁(22B；106)和所述产品的所述外侧面之间的间隙(24；112)中引入颗粒状物料；以及使所述活动壁(22B；106)朝向所述产品的所述外侧面移动，使得所述颗粒状物料压靠所述产品(P)的所述外侧面(p1)。
食物产品外侧施加颗粒状物料方法设备

[实用新型]半导体器件-CN202123175240.X有效
发明人： M·德赖;G·卡塔拉诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及半导体器件。半导体器件包括：具有围绕其布置的引线的支撑基底；在支撑基底上的半导体管芯；和模制到管芯和引线上的激光可激活材料层。引线包括面向支撑基底的近侧部分和背向支撑基底的远侧部分。半导体管芯包括在其与支撑基底相对的前表面处的接合焊盘，并且被布置到引线的近侧部分上。半导体器件具有在激光可激活材料的选定位置经激光结构化的导电结构。因此，本公开的一个或多个实施例可以促进将相对大的半导体管芯装配到相对小的封装中，同时甚至在小空间内提供半导体管芯和引线之间的可靠电连接。
半导体器件

[发明专利]引线上芯片半导体器件及引线上芯片半导体器件制造方法-CN202111546789.7在审
发明人： M·德赖;G·卡塔拉诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及引线上芯片半导体器件及引线上芯片半导体器件制造方法。半导体器件包括：具有围绕其布置的引线的支撑基底；在支撑基底上的半导体管芯；和模制到管芯和引线上的激光可激活材料层。引线包括面向支撑基底的近侧部分和背向支撑基底的远侧部分。半导体管芯包括在其与支撑基底相对的前表面处的接合焊盘，并且被布置到引线的近侧部分上。半导体器件具有在激光可激活材料的选定位置经激光结构化的导电结构。导电结构包括在接合焊盘与激光可激活材料的前表面之间延伸的第一过孔、在引线的远侧部分与激光可激活材料的前表面之间延伸的第二过孔、以及在激光可激活材料的前表面处延伸并且将所选择的第一过孔连接到所选择的第二过孔的线。
引线芯片半导体器件制造方法

[实用新型]半导体器件-CN202120599518.7有效
发明人： R·蒂齐亚尼;G·卡塔拉诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，其特征在于，包括：在至少一个半导体管芯上的激光直接构造材料，激光直接构造材料至少部分地包封至少一个半导体管芯；激光束激活的导电构件的图案，导电构件在激光直接构造材料中被构造；以及在激光直接构造材料中被构造的导电构件上的导电材料，其中导电材料在导电构件上，导电材料具有邻接导电构件的横向限制表面。利用本公开的实施例，可以获得防止铜(Cu)在电镀工艺中横向生长的导电构件。
半导体器件

[发明专利]用于启用PLMN间接近服务的方法和系统-CN201580083281.4有效
发明人： A·布尔多里尼;G·卡塔拉诺;M·福德瑞尼 -专利权人：意大利电信股份公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H04W76/14 文献下载
摘要：一种启用通过附连到不同移动网络(105、110)的移动通信设备(125、126、130)之间的直接链路而进行的移动网络间的接近服务的方法，该方法包括：选择和配置附连到所述不同移动网络(105、110)当中的第一移动网络(105)的至少一个第一移动通信设备(125)，以获取与所述不同移动网络(105、110)当中的至少第二移动网络(110)的接近服务相关的配置数据，与接近服务相关的所述配置数据包括关于在所述第二移动网络(110)中为接近服务分配的无线电资源的信息；使所选择和配置的第一移动通信设备(125)将所获取的与所述至少第二移动网络(110)的接近服务相关的配置数据报告给以下之间的至少一个：第一移动网络(105)；以及位于第一移动通信设备(125)附近的至少一个第二移动通信设备(126)。
用于启用 plmn 间接服务方法系统

[发明专利]制造半导体器件的方法和对应的半导体器件-CN202110315813.X在审
发明人： R·蒂齐亚尼;G·卡塔拉诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法和对应的半导体器件。一种方法包括将激光直接构造材料模制到至少一个半导体管芯上，在所述激光直接构造材料上形成抗蚀剂材料，经由激光束能量产生在所述激光直接构造材料中的导电构件的相互对准的图案以及抗蚀剂材料的、具有在所述导电构件的侧向的侧壁的蚀刻的部分，以及在所述抗蚀剂材料的所述蚀刻部分处形成导电材料，所述导电材料在所述抗蚀剂材料的所述蚀刻部分的所述侧壁处具有横向限制表面。
制造半导体器件方法对应